場效應(yīng)管

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。

場效應(yīng)晶體管（Field Effect Transistor縮寫(FET)）簡稱場效應(yīng)管。主要有兩種類型：結(jié)型場效應(yīng)管（junction FET—JFET)和金屬 - 氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)管（metal-oxide semiconductor FET，簡稱MOS-FET）。由多數(shù)載流子參與導(dǎo)電，也稱為單極型晶體管。它屬于電壓控制型半導(dǎo)體器件。具有輸入電阻高（107～1015Ω）、噪聲小、功耗低、動(dòng)態(tài)范圍大、易于集成、沒有二次擊穿現(xiàn)象、安全工作區(qū)域?qū)挼葍?yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已成為雙極型晶體管和功率晶體管的強(qiáng)大競爭者。場效應(yīng)管（FET）是利用控制輸入回路的電場效應(yīng)來控制輸出回路電流的一種半導(dǎo)體器件，并以此命名。由于它僅靠半導(dǎo)體中的多數(shù)載流子導(dǎo)電，又稱單極型晶體管。FET 英文為Field Effect Transistor，簡寫成FET。收起

查看更多
  • 英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破
    在IEDM 2024（2024年IEEE國際電子器件會(huì)議）上，英特爾代工展示了包括先進(jìn)封裝、晶體管微縮、互連縮放等在內(nèi)的多項(xiàng)技術(shù)突破，以助力推動(dòng)半導(dǎo)體行業(yè)在下一個(gè)十年及更長遠(yuǎn)的發(fā)展。 英特爾通過改進(jìn)封裝技術(shù)將芯片封裝中的吞吐量提升高達(dá)100倍，探索解決采用銅材料的晶體管在開發(fā)未來制程節(jié)點(diǎn)時(shí)可預(yù)見的互連微縮限制，并繼續(xù)為先進(jìn)的全環(huán)繞柵極（GAA）晶體管及其它相關(guān)技術(shù)定義和規(guī)劃晶體管路線圖。 這些技術(shù)
    英特爾IEDM 2024大曬封裝、晶體管、互連等領(lǐng)域技術(shù)突破
  • 什么是FinFET？一文帶你全方位認(rèn)識(shí)FinFET
    今天我們一起來學(xué)習(xí)一下：什么是FinFET？它到底有多牛？它為什么這么牛？
  • JFET和MOSFET之間的區(qū)別是什么
    JFET（結(jié)型場效應(yīng)管）和MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）是常見的場效應(yīng)晶體管類型，在電子學(xué)領(lǐng)域中扮演著重要的角色。盡管它們?cè)谀承┓矫嬗邢嗨浦帲诮Y(jié)構(gòu)、工作原理和應(yīng)用方面存在明顯的差異。
  • pmos管工作原理及詳解
    PMOS管是MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管）的一種類型，屬于場效應(yīng)管。PMOS管在集成電路中具有重要作用，常用于數(shù)字電路和模擬電路中，廣泛應(yīng)用于邏輯門、存儲(chǔ)器單元等電路中。

正在努力加載...