砷化鎵

加入交流群
掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機(jī)化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。2017年10月27日,世界衛(wèi)生組織國際癌癥研究機(jī)構(gòu)公布的致癌物清單初步整理參考,砷和無機(jī)砷化合物在1類致癌物清單中。

砷化鎵(gallium arsenide)是一種無機(jī)化合物,化學(xué)式為GaAs,為黑灰色固體,熔點1238℃。它在600℃以下能在空氣中穩(wěn)定存在,并且不被非氧化性的酸侵蝕。砷化鎵是一種重要的半導(dǎo)體材料。屬Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體。屬閃鋅礦型晶格結(jié)構(gòu),晶格常數(shù)5.65×10-10m,禁帶寬度1.4電子伏。2017年10月27日,世界衛(wèi)生組織國際癌癥研究機(jī)構(gòu)公布的致癌物清單初步整理參考,砷和無機(jī)砷化合物在1類致癌物清單中。收起

查看更多
  • 砷化鎵(GaAs)晶圓的光刻膠殘留
    光刻膠的殘留在不同外延基板上處理工藝也不同,玻璃基板或者藍(lán)寶石就會抗造一點,砷化鎵、磷化銦等就要避免酸堿。
    砷化鎵(GaAs)晶圓的光刻膠殘留
  • 砷化鎵外延基板晶向
    對于做激光應(yīng)用的砷化鎵基板,晶向有很重要的應(yīng)用。關(guān)乎了激光芯片的成品質(zhì)量和合格率,通過在wafer上劃片,劈裂,我們得到了die,一顆完整的die如下圖所以,這個只是芯片的一個端面。但是通常把這個面作為芯片的腔體面,也是激光器的解離面{110}晶面。
  • GaAs芯片的表面工藝異常問題
    一、砷化鎵表面存在氧化層。GaAs屬于閃鋅礦結(jié)構(gòu),具有立方晶系Fm3m空間群,晶胞參數(shù)為5.646 ?。Ga原子位于晶胞的頂點,As原子位于晶胞的面心和體內(nèi),形成四面體結(jié)構(gòu)。
    GaAs芯片的表面工藝異常問題
  • 射頻芯片的半壁江山之Qorvo的前生今世
    在射頻芯片的選擇時,有幾家經(jīng)常出現(xiàn)的公司Skyworks,Qorvo, Broadcom,Murata,TDK等等,他們憑借出色的性能,可靠的質(zhì)量,牢牢占據(jù)著射頻設(shè)計的絕大部分市場。今天我們一起來探尋一下Qorvo的前生今世,這個幾乎占據(jù)射頻IC半壁江山的公司到底出色在哪里?
    射頻芯片的半壁江山之Qorvo的前生今世
  • 砷化鎵
    砷化鎵(Gallium Arsenide,簡稱GaAs)是一種重要的半導(dǎo)體材料,具有優(yōu)異的電子性能和光電性能,在半導(dǎo)體領(lǐng)域發(fā)揮著重要作用。砷化鎵材料因其高電子遷移率、高飽和漂移速度、較寬的能隙以及優(yōu)秀的光電特性而備受關(guān)注。

正在努力加載...