第三代半導(dǎo)體材料

• 12英寸氮化鎵，新輔助？

  第三代半導(dǎo)體材料氮化鎵，傳來(lái)新消息：日本半導(dǎo)體材料大廠信越化學(xué)為氮化鎵外延生長(zhǎng)帶來(lái)了有力輔助。

  全球半導(dǎo)體觀察

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  2024/09/11

  GaN 氮化鎵
• 第三代半導(dǎo)體碳化硅襯底分類(lèi)_技術(shù)指標(biāo)_生長(zhǎng)工藝_產(chǎn)業(yè)鏈_下游應(yīng)用等解析

  1、第三代半導(dǎo)體特性 (1)碳化硅 根據(jù)《中國(guó)戰(zhàn)略性新興產(chǎn)業(yè)：新材料(第三代半導(dǎo)體材料)》，與硅相比，碳化硅擁有更為優(yōu)越的電氣特性: ①耐高壓：擊穿電場(chǎng)強(qiáng)度大，是硅的10倍，用碳化硅制備器件可以極大地提高耐壓容量、工作頻率和電流密度，并大大降低器件的導(dǎo)通損耗。 ②耐高溫：半導(dǎo)體器件在較高的溫度下，會(huì)產(chǎn)生載流子的本征激發(fā)現(xiàn)象，造成器件失效。禁帶寬度越大，器件的極限工作溫度越高。碳化硅的禁帶接近硅的3

  老虎說(shuō)芯

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  01/15 14:52

  碳化硅 第三代半導(dǎo)體

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