高溫環(huán)境下的MDD肖特基二極管設(shè)計(jì) 如何避免熱失效
在高溫環(huán)境下,肖特基二極管(Schottky Diode)以其低正向壓降和快速開關(guān)特性被廣泛應(yīng)用于電源管理、電機(jī)驅(qū)動(dòng)及新能源系統(tǒng)中。然而,由于其PN結(jié)被金屬-半導(dǎo)體接觸結(jié)構(gòu)取代,其溫度特性與普通PN結(jié)二極管存在顯著不同,特別是在高溫下,肖特基管的反向漏電流急劇上升,成為熱失效的主要隱患。因此,設(shè)計(jì)人員在高溫環(huán)境下使用肖特基二極管時(shí),必須充分考慮其熱穩(wěn)定性與散熱策略。 首先,識(shí)別失效風(fēng)險(xiǎn)是設(shè)計(jì)的前提