芯片制造

• 28納米以下先進制程為何離不開HKMG工藝

  在半導(dǎo)體制造的不斷演進中，先進制程的發(fā)展一直是推動行業(yè)進步的關(guān)鍵力量。當制程工藝推進到28納米及以下，HKMG（High-K Metal Gate，高介電常數(shù)金屬柵極）技術(shù)成為了不可或缺的存在。 從物理原理角度來看，隨著制程尺寸縮小，傳統(tǒng)材料和技術(shù)面臨嚴峻挑戰(zhàn)。在晶體管中，柵極作為控制電流的關(guān)鍵結(jié)構(gòu)，其性能直接影響著芯片的整體表現(xiàn)。當制程進入28納米以下，若繼續(xù)使用傳統(tǒng)的二氧化硅(SiO?)作為柵

  國芯制造

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  04/25 16:05

  半導(dǎo)體 芯片制造

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