GaN器件

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  • 英諾賽科/英飛凌GaN創(chuàng)新:1200V;集成二極管
    4月14日,英諾賽科(02577)發(fā)布公告,宣布自主開發(fā)的1200V氮化鎵(GaN)產(chǎn)品已實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)。據(jù)介紹,該產(chǎn)品憑借其寬禁帶特性,在高壓高頻場景中展現(xiàn)出顯著優(yōu)勢,具備零反向恢復(fù)電荷的核心優(yōu)勢,有助于進(jìn)一步推動能源轉(zhuǎn)換系統(tǒng)的效率提升和小型化,可廣泛應(yīng)用于新能源車、工業(yè)及AI數(shù)據(jù)中心等領(lǐng)域。

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