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氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。

氮化鎵是一種無機(jī)物，化學(xué)式GaN，是氮和鎵的化合物，是一種直接能隙（direct bandgap）的半導(dǎo)體，自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦，硬度很高。氮化鎵的能隙很寬，為3.4電子伏特，可以用在高功率、高速的光電元件中，例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管，可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器（Diode-pumped solid-state laser）的條件下，產(chǎn)生紫光（405nm）激光。2014年，日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎(jiǎng)。收起

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  • GaN FET 在人形機(jī)器人中的應(yīng)用
    引言 人形機(jī)器人集成了許多子系統(tǒng)，包括伺服控制系統(tǒng)、電池管理系統(tǒng) (BMS)、傳感器系統(tǒng)、AI 系統(tǒng)控制等。如果要將這些系統(tǒng)集成到等同人類的體積內(nèi)，同時(shí)保持此復(fù)雜系統(tǒng)平穩(wěn)運(yùn)行，會(huì)很難滿足尺寸和散熱要求。人形機(jī)器人內(nèi)空間受限最大的子系統(tǒng)是伺服控制系統(tǒng)。為了實(shí)現(xiàn)與人類相似的運(yùn)動(dòng)范圍，通常在整個(gè)機(jī)器人中部署大約 40 個(gè)伺服電機(jī) (PMSM) 和控制系統(tǒng)。電機(jī)分布在機(jī)器人身體的不同部位，例如頸部、軀干、
    GaN FET 在人形機(jī)器人中的應(yīng)用
  • 特斯拉專家訪談：GaN車載應(yīng)用已成趨勢(shì)
    2024年10月，特斯拉技術(shù)專家接受了國外咨詢機(jī)構(gòu)的調(diào)研，其深度解析了氮化鎵技術(shù)在汽車領(lǐng)域的應(yīng)用前景與挑戰(zhàn)，同時(shí)還對(duì)D-mode / E-mode/直驅(qū)/單片集成等技術(shù)路線以及氮化鎵主流玩家進(jìn)行了點(diǎn)評(píng)。“行家說三代半”對(duì)該訪談進(jìn)行了全文翻譯，由于整個(gè)采訪多達(dá)7000字，為此這篇訪談將分拆成2篇發(fā)布。
    特斯拉專家訪談：GaN車載應(yīng)用已成趨勢(shì)
  • 人形機(jī)器人中的電機(jī)控制
    制造業(yè)和服務(wù)行業(yè)對(duì)更高自動(dòng)化水平的需求不斷增長，推動(dòng)了人形機(jī)器人的開發(fā)。人形機(jī)器人變得更加復(fù)雜和精確，自由度 (DOF) 變得更高，并且對(duì)周圍環(huán)境的響應(yīng)時(shí)間（按毫秒計(jì)）縮短，從而能更好地模人形類的動(dòng)作。圖 1 展示了人形機(jī)器人的典型電機(jī)和運(yùn)動(dòng)功能。 圖 1. 顯示人形機(jī)器人 DOF 變得更高的位置 具有更高的 DOF 意味著人形機(jī)器人需要更多的電機(jī)驅(qū)動(dòng)器。機(jī)器人設(shè)計(jì)中的驅(qū)動(dòng)器位置決定了不同的驅(qū)動(dòng)器
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  • 意法半導(dǎo)體披露公司全球計(jì)劃細(xì)節(jié),重塑制造布局和調(diào)整全球成本基數(shù)
    服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics，簡稱ST；紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計(jì)劃細(xì)節(jié)，進(jìn)一步更新了公司此前發(fā)布的全球計(jì)劃。2024年10月，意法半導(dǎo)體發(fā)布了一項(xiàng)覆蓋全公司的計(jì)劃，擬進(jìn)一步增強(qiáng)企業(yè)的競(jìng)爭力，鞏固公司全球半導(dǎo)體龍頭地位，利用公司的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計(jì)、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產(chǎn)，保障公司的垂直整合制造 (I
    意法半導(dǎo)體披露公司全球計(jì)劃細(xì)節(jié),重塑制造布局和調(diào)整全球成本基數(shù)
  • 面向數(shù)據(jù)中心需求，TI推出全新的eFuse和集成式 GaN 功率級(jí)
    在高效的配電系統(tǒng)中，而智能電子保險(xiǎn)絲在其中發(fā)揮了重要作用。以往，工程師會(huì)采用分立式熱插拔控制器加上外部場(chǎng)效應(yīng)晶體管(FET)的傳統(tǒng)保護(hù)方案，然而這種方案下，由于漏電導(dǎo)通電阻(RDS (ON))、PCB 走線電阻和比較器閾值不匹配的問題，會(huì)給電子保險(xiǎn)絲的傳統(tǒng)并聯(lián)運(yùn)行帶來巨大挑戰(zhàn)，這些不匹配會(huì)導(dǎo)致電子保險(xiǎn)絲之間的電流共享不均（某些電子保險(xiǎn)絲承載的電流比其他電子保險(xiǎn)絲多），且通常會(huì)導(dǎo)致各個(gè)電子保險(xiǎn)絲過早跳閘，即使系統(tǒng)總電流低于跳閘閾值也是如此。因此，為了減少因這種誤跳閘帶來的系統(tǒng)關(guān)斷、運(yùn)行效率低下等問題，這種分立方案的設(shè)計(jì)功率一般只能達(dá)到4kW。
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    04/10 14:41
    面向數(shù)據(jù)中心需求，TI推出全新的eFuse和集成式 GaN 功率級(jí)
  • 美媒熱炒：洛馬最新GaN雷達(dá)真能“鎖定”殲20？
    近日，一則軍事新聞引發(fā)國際關(guān)注：當(dāng)?shù)貢r(shí)間4月7日，美國軍工巨頭洛克希德·馬丁向美國空軍交付首套L波段的TPY-4氮化鎵（GaN）有源相控陣?yán)走_(dá)。據(jù)其發(fā)布的宣傳片宣稱，該型號(hào)AESA雷達(dá)能夠有效探測(cè)中國殲20等第五代隱形戰(zhàn)斗機(jī)。美國有線電視新聞網(wǎng)（CNN）等美媒也對(duì)此事大肆渲染，似乎在為美國的軍事優(yōu)勢(shì)搖旗吶喊。
  • 德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級(jí)別、功率密度和效率水平
    德州儀器 (TI)（納斯達(dá)克股票代碼：TXN）于今日推出新款電源管理芯片，以滿足現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心快速增長的電源需求。隨著高性能計(jì)算和人工智能 (AI) 的采用率越來越高，數(shù)據(jù)中心需要更高功率密度和更高效的解決方案。德州儀器發(fā)布的新款 TPS1685 是具有電源路徑保護(hù)的 48V 集成式熱插拔電子保險(xiǎn)絲，可幫助客戶滿足數(shù)據(jù)中心硬件和處理需求。為了簡化數(shù)據(jù)中心設(shè)計(jì)，德州儀器還推出了采用行業(yè)標(biāo)準(zhǔn) TOLL
    德州儀器推出新款電源管理芯片，可提高現(xiàn)代數(shù)據(jù)中心的保護(hù)級(jí)別、功率密度和效率水平
  • 淺析GAN氮化鎵功放在5G中的作用
    對(duì)功率放大器（PA）進(jìn)行恰當(dāng)?shù)拈_發(fā)、驗(yàn)證和特性分析十分重要，因?yàn)楣β史糯笃魍ǔＴ诎l(fā)射設(shè)備的功耗中占很大比例。在大多數(shù)芯片組和組件中，硅已被證明是一種可靠、經(jīng)濟(jì)高效且易于制造的材料。然而，隨著世界越來越朝著數(shù)字化、互聯(lián)互通且以設(shè)備為主導(dǎo)的生態(tài)系統(tǒng)發(fā)展，對(duì)更高性能、更高吞吐量和更高效率的需求也在增加。
    淺析GAN氮化鎵功放在5G中的作用
  • 英飛凌高管專訪：詳解GaN/SiC/AI/機(jī)器人布局與中國本土化發(fā)展！
    今年3月中旬，英飛凌在深圳召開了?“2025?英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)”。期間，英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉，英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場(chǎng)營銷負(fù)責(zé)人劉偉接受了包括芯智訊的專訪，介紹了英飛凌在氮化鎵、碳化硅、AI、機(jī)器人等領(lǐng)域的布局，以及英飛凌的在中國的本土化發(fā)展。
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    03/31 10:50
    英飛凌高管專訪：詳解GaN/SiC/AI/機(jī)器人布局與中國本土化發(fā)展！
  • 馬自達(dá)與羅姆開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體的汽車零部件
    Mazda Motor Corporation（以下簡稱“馬自達(dá)”）與ROHM Co., Ltd.（以下簡稱“羅姆”）開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體技術(shù)——氮化鎵（GaN）功率半導(dǎo)體的汽車零部件。 （左）馬自達(dá)董事、專務(wù)執(zhí)行官兼CTO 廣瀨一郎／（右）羅姆董事、專務(wù)執(zhí)行官 東克己 馬自達(dá)與羅姆自2022年起，在“針對(duì)電驅(qū)動(dòng)單元的開發(fā)與生產(chǎn)合作體系”中，一直在推進(jìn)搭載碳化硅（SiC）功率半導(dǎo)體的逆變器
    馬自達(dá)與羅姆開始聯(lián)合開發(fā)采用下一代半導(dǎo)體的汽車零部件
  • 良率超99%！國產(chǎn)8英寸GaN迎來新突破
    近日，九峰山實(shí)驗(yàn)室科研團(tuán)隊(duì)在全球首次實(shí)現(xiàn)8英寸硅基氮極性氮化鎵高電子遷移率材料的制備，在高頻、高功率器件等領(lǐng)域，有望為前沿技術(shù)發(fā)展及產(chǎn)業(yè)化落地提供有力支撐：
    良率超99%！國產(chǎn)8英寸GaN迎來新突破
  • GaN新技術(shù)！英諾賽科、納微、英飛凌等放大招
    近期，英諾賽科、納微半導(dǎo)體、英飛凌等企業(yè)公布了單片集成、雙向開關(guān)等氮化鎵產(chǎn)品&平臺(tái)，在產(chǎn)品成本、性能等方面實(shí)現(xiàn)了新的突破：
    GaN新技術(shù)！英諾賽科、納微、英飛凌等放大招
  • 開關(guān)模式電源開始采用GaN開關(guān)
    作者：Frederik Dostal，電源管理專家 摘要 在開關(guān)模式電源中使用GaN開關(guān)是一種相對(duì)較新的技術(shù)。這種技術(shù)有望提供更高效率、更高功率密度的電源。本文討論了該技術(shù)的準(zhǔn)備情況，提到了所面臨的挑戰(zhàn)，并展望了GaN作為硅的替代方案在開關(guān)模式電源中的未來前景。 如今，電源管理設(shè)計(jì)工程師常常會(huì)問道： 現(xiàn)在應(yīng)該從硅基功率開關(guān)轉(zhuǎn)向GaN開關(guān)了嗎？ 氮化鎵(GaN)技術(shù)相比傳統(tǒng)硅基MOSFET有許多優(yōu)勢(shì)
    開關(guān)模式電源開始采用GaN開關(guān)
  • 華潤微發(fā)力，GaN項(xiàng)目5月將投產(chǎn)
    3月18日，據(jù)海創(chuàng)集團(tuán)官微發(fā)布消息，由海創(chuàng)集團(tuán)與潤新微電子公司共同投資建設(shè)的潤新微電子外延片生產(chǎn)基地項(xiàng)目已經(jīng)復(fù)工建設(shè)。
    華潤微發(fā)力，GaN項(xiàng)目5月將投產(chǎn)
  • 合計(jì)超5億元！4家GaN企業(yè)獲得融資
    近期，國內(nèi)外GaN產(chǎn)業(yè)融資加速，又有4家企業(yè)獲得融資，其中包括氮矽科技、Emtar、CGD、佛蒙特州科技中心。2月18日，據(jù)外媒EE NEWS報(bào)道，劍橋 GaN Devices (CGD) 已完成 3200 萬美元（約2.3億元人民幣）的 C 輪融資。該項(xiàng)投資由戰(zhàn)略投資者領(lǐng)投，英國耐心資本參與。
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    03/12 08:37
    GaN
    合計(jì)超5億元！4家GaN企業(yè)獲得融資
  • CGD發(fā)佈突破性100kW+技術(shù)，推動(dòng)氮化鎵（GaN）進(jìn)軍超100億美元電動(dòng)汽車逆變器市場(chǎng)
    無晶圓廠環(huán)保科技半導(dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發(fā)高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力於簡化綠色電子產(chǎn)品的設(shè)計(jì)和實(shí)施。近日，CGD進(jìn)一步公佈了關(guān)於ICeGaN? GaN 技術(shù)解決方案的詳情，該方案將助力公司進(jìn)軍功率超過100kW的電動(dòng)汽車動(dòng)力總成應(yīng)用市場(chǎng)，這一市場(chǎng)規(guī)模預(yù)計(jì)超過100億美元。Combo ICeGaN?通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IG
    CGD發(fā)佈突破性100kW+技術(shù)，推動(dòng)氮化鎵（GaN）進(jìn)軍超100億美元電動(dòng)汽車逆變器市場(chǎng)
  • 無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司CGD獲3,200萬美元融資，推動(dòng)全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 成長
    無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司Cambridge GaN Devices (CGD)近期成功完成3,200萬美元的C輪融資。本輪融資由策略投資者領(lǐng)投，英國長期資本（British Patient Capital）參投，並獲得現(xiàn)有投資方Parkwalk、BGF、Cambridge Innovation Capital（CIC）、Foresight Group和IQ Capital的大力支持。 氮化鎵（G
    無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司CGD獲3,200萬美元融資，推動(dòng)全球功率半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè) 成長
  • 5G時(shí)代的功率放大器革新：揭秘氮化鎵GAN如何引領(lǐng)高效通信
    為推動(dòng)全國5G部署的大規(guī)模MIMO（多輸入多輸出）技術(shù)。雖然毫米波頻率應(yīng)用的潛力最終將得到實(shí)現(xiàn)，但在未來幾年內(nèi)，5G服務(wù)將主要通過Sub-6GHz（6GHz以下）頻段傳輸?shù)男盘?hào)來定義。為了實(shí)現(xiàn)這一點(diǎn)，下一代基站解決方案需要在射頻前端（RFFE）性能上進(jìn)行顯著提升。
    5G時(shí)代的功率放大器革新：揭秘氮化鎵GAN如何引領(lǐng)高效通信
  • CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車逆變器市場(chǎng)
    無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿足100kW 以上的電動(dòng)汽車動(dòng)力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場(chǎng)超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT
    CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動(dòng)GAN挺進(jìn)超100億美元的電動(dòng)汽車逆變器市場(chǎng)
  • GaN車規(guī)應(yīng)用提速，比亞迪、廣汽埃安布局
    3月2日，比亞迪、大疆共同發(fā)布了智能車載無人機(jī)系統(tǒng)——靈鳶，作為全球首款高度集成的車載無人機(jī)系統(tǒng)，靈鳶系統(tǒng)具有換電版和快充版兩個(gè)版本，其中快充版售價(jià)為16000元。
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    03/06 08:47
    GaN
    GaN車規(guī)應(yīng)用提速，比亞迪、廣汽埃安布局

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