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氮化鎵是一種無機物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎。

氮化鎵是一種無機物,化學(xué)式GaN,是氮和鎵的化合物,是一種直接能隙(direct bandgap)的半導(dǎo)體,自1990年起常用在發(fā)光二極管中。此化合物結(jié)構(gòu)類似纖鋅礦,硬度很高。氮化鎵的能隙很寬,為3.4電子伏特,可以用在高功率、高速的光電元件中,例如氮化鎵可以用在紫光的激光二極管,可以在不使用非線性半導(dǎo)體泵浦固體激光器(Diode-pumped solid-state laser)的條件下,產(chǎn)生紫光(405nm)激光。2014年,日本名古屋大學(xué)和名城大學(xué)教授赤崎勇、名古屋大學(xué)教授天野浩和美國加州大學(xué)圣塔芭芭拉分校教授中村修二因發(fā)明藍(lán)光LED而獲得當(dāng)年的諾貝爾物理獎。收起

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    服務(wù)多重電子應(yīng)用領(lǐng)域、全球排名前列的半導(dǎo)體公司意法半導(dǎo)體 (STMicroelectronics,簡稱ST;紐約證券交易所代碼:STM) 披露了全球制造布局重塑計劃細(xì)節(jié),進(jìn)一步更新了公司此前發(fā)布的全球計劃。2024年10月,意法半導(dǎo)體發(fā)布了一項覆蓋全公司的計劃,擬進(jìn)一步增強企業(yè)的競爭力,鞏固公司全球半導(dǎo)體龍頭地位,利用公司的技術(shù)研發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計、大規(guī)模制造等全球戰(zhàn)略資產(chǎn),保障公司的垂直整合制造 (I
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    在高效的配電系統(tǒng)中,而智能電子保險絲在其中發(fā)揮了重要作用。以往,工程師會采用分立式熱插拔控制器加上外部場效應(yīng)晶體管(FET)的傳統(tǒng)保護(hù)方案,然而這種方案下,由于漏電導(dǎo)通電阻(RDS (ON))、PCB 走線電阻和比較器閾值不匹配的問題,會給電子保險絲的傳統(tǒng)并聯(lián)運行帶來巨大挑戰(zhàn),這些不匹配會導(dǎo)致電子保險絲之間的電流共享不均(某些電子保險絲承載的電流比其他電子保險絲多),且通常會導(dǎo)致各個電子保險絲過早跳閘,即使系統(tǒng)總電流低于跳閘閾值也是如此。因此,為了減少因這種誤跳閘帶來的系統(tǒng)關(guān)斷、運行效率低下等問題,這種分立方案的設(shè)計功率一般只能達(dá)到4kW。
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    04/10 14:41
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