HBM4

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  • 遙遙領(lǐng)先 SK海力士首次公開HBM4 帶寬高達(dá)2TB/s
    近期，SK海力士在TSMC 2025北美技術(shù)研討會(huì)上展示HBM4 12Hi、HBM3E 16Hi?2款產(chǎn)品是其首次公開展示了其HBM4技術(shù)，是全球唯一一家展示HBM4技術(shù)的公司。
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    04/29 09:25
    遙遙領(lǐng)先 SK海力士首次公開HBM4 帶寬高達(dá)2TB/s
  • SK海力士官宣加速研發(fā)HBM4E
    SK Hynix?承諾及時(shí)供應(yīng)?HBM4E?以及量產(chǎn)?HBM4 12?層，從而加速其在?HBM?市場(chǎng)的領(lǐng)先地位。SK海力士HBM（高帶寬存儲(chǔ)器）事業(yè)企劃副社長(zhǎng)崔俊勇4月7日表示，“我們不僅將在今年量產(chǎn)12層HBM4（第6代HBM），還將適時(shí)供應(yīng)（第7代）HBM4E，以進(jìn)一步鞏固我們?cè)贖BM領(lǐng)域的領(lǐng)先地位”。
    SK海力士官宣加速研發(fā)HBM4E
  • 產(chǎn)業(yè)丨HBM4大戰(zhàn)
    AI數(shù)據(jù)中心所需的HBM和大容量eSSD等高附加值尖端內(nèi)存產(chǎn)品的需求預(yù)計(jì)明年將持續(xù)強(qiáng)勁。該產(chǎn)品也是三星電子、SK海力士等國(guó)內(nèi)企業(yè)主導(dǎo)的市場(chǎng)。在這種形勢(shì)下，HBM成為了一個(gè)重要的突破口，這也是三大巨頭加大在這方面投入的原因之一。
    產(chǎn)業(yè)丨HBM4大戰(zhàn)
  • HBM新技術(shù)，橫空出世！
    AI的火熱，令HBM也成了緊俏貨。當(dāng)下，存儲(chǔ)芯片巨頭主要有兩大行動(dòng)方向。一方面，對(duì)HBM技術(shù)持續(xù)升級(jí)并加大現(xiàn)有 HBM 產(chǎn)品的產(chǎn)量；另一方面，分出部分精力，關(guān)注另一種形式的 HBM 產(chǎn)品。
    HBM新技術(shù)，橫空出世！
  • 超470億晶圓廠動(dòng)工，HBM市場(chǎng)激戰(zhàn)正酣！
    近日，SK海力士宣布，其龍仁半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)集群的首座晶圓廠已開始全面動(dòng)工，預(yù)計(jì)2027年5月竣工。SK海力士表示，龍仁半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)園區(qū)位于韓國(guó)京畿道龍仁市元三面，總占地面積為415萬(wàn)平方米（約126萬(wàn)坪），包括SK海力士工廠（約60萬(wàn)坪）、中小企業(yè)合作園區(qū)（14萬(wàn)坪）、基礎(chǔ)設(shè)施用地（12萬(wàn)坪）等。預(yù)計(jì)將與集群內(nèi)約50家中小型半導(dǎo)體公司一起，在提升韓國(guó)半導(dǎo)體生態(tài)系統(tǒng)競(jìng)爭(zhēng)力方面發(fā)揮作用。
    超470億晶圓廠動(dòng)工，HBM市場(chǎng)激戰(zhàn)正酣！
  • SK海力士今年將量產(chǎn)HBM4
    SK海力士預(yù)測(cè)，2025年其高帶寬存儲(chǔ)器（HBM）銷量將較去年增長(zhǎng)100%以上。SK海力士CFO兼執(zhí)行副總裁金宇鉉1月23日在“2024年第四季度收益發(fā)布電話會(huì)議”上表示，“今年HBM銷售額將同比增長(zhǎng)100%以上”，并補(bǔ)充道，“客戶對(duì)定制半導(dǎo)體（ASIC）的需求也很大。隨著用戶數(shù)量的增加，客戶群預(yù)計(jì)也將擴(kuò)大?！?/div>
    SK海力士今年將量產(chǎn)HBM4
  • 已流片！SK海力士HBM4計(jì)劃6月送樣
    據(jù)透露，SK海力士計(jì)劃最早在今年6月份向Nvidia出貨HBM4（第六代高帶寬內(nèi)存）樣品。預(yù)計(jì)產(chǎn)品供應(yīng)最早將于第三季度末開始。SK海力士為了搶占下一代HBM市場(chǎng)先機(jī)，正加緊準(zhǔn)備量產(chǎn)，并將供貨計(jì)劃提前至今年下半年。
    已流片！SK海力士HBM4計(jì)劃6月送樣
  • 明年HBM4將成主流，2027年定制HBM將流行
    三星電子和 SK 海力士等高帶寬存儲(chǔ)器 (HBM) 公司預(yù)測(cè)，“定制 HBM”市場(chǎng)將在 2027 年后開放。據(jù)悉，隨著人工智能（AI）市場(chǎng)日趨多樣化，以及HBM用戶的規(guī)格要求日趨多樣化，兩家存儲(chǔ)器公司都在開發(fā)可為客戶提供多種選擇的半導(dǎo)體技術(shù)。
    明年HBM4將成主流，2027年定制HBM將流行
  • 三星已試產(chǎn)HBM4邏輯芯片
    據(jù)確認(rèn)，三星電子已開始通過(guò)4nm代工廠試產(chǎn)作為第6代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4）大腦的“邏輯芯片”。在完成邏輯芯片的最終性能驗(yàn)證后，三星電子計(jì)劃將由此開發(fā)的HBM4交付給客戶進(jìn)行測(cè)試。三星電子在 HBM 市場(chǎng)的領(lǐng)導(dǎo)地位被 SK 海力士奪走，今年計(jì)劃通過(guò)在 HBM4 之前引入大量工藝進(jìn)行反擊。
    三星已試產(chǎn)HBM4邏輯芯片
  • 2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大看點(diǎn)
    經(jīng)歷了2024年的蓄勢(shì)與回暖，全球半導(dǎo)體業(yè)界對(duì)2025年市場(chǎng)表現(xiàn)呈樂觀預(yù)期。WSTS預(yù)測(cè)，2024年全球銷售額將同比增長(zhǎng)19.0%，達(dá)到6269億美元。2025年，全球銷售額預(yù)計(jì)達(dá)到6972億美元，同比增長(zhǎng)11.2%。伴隨市場(chǎng)動(dòng)能持續(xù)復(fù)蘇，十大半導(dǎo)體技術(shù)趨勢(shì)蓄勢(shì)待發(fā)。
    2025年全球半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)十大看點(diǎn)
  • 博通與SK海力士、三星合作開發(fā)HBM4
    據(jù)半導(dǎo)體行業(yè)12月23日消息，博通正在與SK海力士、三星電子合作開發(fā)第6代HBM4。今年上半年，博通開始為包括美光在內(nèi)的三個(gè)HBM制造商測(cè)試第五代HBM3E質(zhì)量，同時(shí)也在加快確保下一代HBM供應(yīng)鏈的進(jìn)程。
    博通與SK海力士、三星合作開發(fā)HBM4
  • SK海力士HBM4將導(dǎo)入3nm工藝，又甩三星
    SK海力士決定采用3納米代工工藝生產(chǎn)明年下半年量產(chǎn)的定制化HBM4，全力進(jìn)軍美國(guó)市場(chǎng)。這意味著該公司將集中精力開發(fā)和量產(chǎn)具有 NVIDIA 和 Google 等美國(guó)人工智能 (AI) 加速器公司所尋求的最佳規(guī)格的產(chǎn)品。換句話說(shuō)，這意味著他們將放棄低性能HBM市場(chǎng)。
    SK海力士HBM4將導(dǎo)入3nm工藝，又甩三星
  • 首款HBM4內(nèi)存控制器IP滿足AI 2.0時(shí)代內(nèi)存需求
    在AI訓(xùn)練階段，需要向AI‘投喂’海量的數(shù)據(jù)，隨后AI對(duì)這些數(shù)據(jù)進(jìn)行分析，提取其中的規(guī)律，最終構(gòu)建出一個(gè)AI模型。例如，通過(guò)輸入貓、鳥、馬等動(dòng)物圖像數(shù)據(jù)，AI能夠培養(yǎng)出識(shí)別這些動(dòng)物形態(tài)的能力。
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    2024/11/26
    首款HBM4內(nèi)存控制器IP滿足AI 2.0時(shí)代內(nèi)存需求
  • SK海力士HBM4E將導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)
    SK 海力士從第七代高帶寬存儲(chǔ)器（HBM4E）開始應(yīng)用“混合鍵合”?；旌湘I合是一種直接用銅連接DRAM頂部和底部的技術(shù)。由于它不需要HBM目前使用的微凸塊（焊球）和鍵合材料，因此有望給半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)重大變化。
    SK海力士HBM4E將導(dǎo)入混合鍵合技術(shù)
  • 三星SK海力士明年下半年量產(chǎn)12層HBM4
    據(jù)相關(guān)行業(yè)人士11月9日透露，三星電子和SK海力士計(jì)劃從明年下半年開始量產(chǎn)12層HBM4。半導(dǎo)體公司計(jì)劃從 HBM4 開始認(rèn)真應(yīng)用新工藝“混合鍵合”。哪家公司首先穩(wěn)定應(yīng)用混合鍵合技術(shù)將決定HBM4市場(chǎng)的勝負(fù)。
    三星SK海力士明年下半年量產(chǎn)12層HBM4
  • HBM4將導(dǎo)入！三星第六代10nm DRAM首次量產(chǎn)
    三星電子最先進(jìn)的10 納米級(jí)第六代 (1c) DRAM首次實(shí)現(xiàn)產(chǎn)量。由于三星正準(zhǔn)備將這款DRAM安裝在明年發(fā)布的第6代HBM（高帶寬內(nèi)存）“HBM4”中，預(yù)計(jì)在確保第一批良率后，未來(lái)良率擴(kuò)張將加速。
  • HBM4商用提速，存儲(chǔ)三巨頭各揣殺手锏
    又到了半導(dǎo)體企業(yè)扎堆公布第二季度財(cái)報(bào)的日子，其中最開心的，一定少不了觸底反彈的幾家存儲(chǔ)芯片廠商。據(jù)了解，三星第二季度業(yè)績(jī)顯著提升，營(yíng)業(yè)利潤(rùn)高達(dá)10.44萬(wàn)億韓元（約合人民幣549億元），同比驟增1462.29%;凈利潤(rùn)為9.8413萬(wàn)億韓元（約合人民幣517.7億元），同比大增470.97%,實(shí)現(xiàn)了近14年來(lái)最大幅度的凈利潤(rùn)增長(zhǎng)，而它的韓國(guó)友商SK海力士表現(xiàn)同樣強(qiáng)勁，第二季度營(yíng)收增長(zhǎng)125%至16.42萬(wàn)億韓元（約合人民幣867億元）創(chuàng)下歷史新高；經(jīng)營(yíng)利潤(rùn)環(huán)比增長(zhǎng)89%至5.47萬(wàn)億韓元（約合人民幣288.8億元），創(chuàng)2018年二季度以來(lái)的最高水平。而此前發(fā)布2024財(cái)年第三季度財(cái)報(bào)的美光總營(yíng)收為68.1億美元，較上年同期的37.5億美元同比增長(zhǎng)81.6%，遠(yuǎn)超市場(chǎng)預(yù)期。
    HBM4商用提速，存儲(chǔ)三巨頭各揣殺手锏
  • HBM4技術(shù)競(jìng)賽，進(jìn)入白熱化
    HBM（HighBandwidthMemory，高帶寬內(nèi)存）是一款新型的CPU/GPU內(nèi)存芯片，其實(shí)就是將很多個(gè)DDR芯片堆疊在一起后和GPU封裝在一起，實(shí)現(xiàn)大容量，高位寬的DDR組合陣列。該內(nèi)存技術(shù)突破了內(nèi)存容量與帶寬瓶頸，被視為新一代DRAM解決方案，也契合了半導(dǎo)體技術(shù)小型化、集成化的發(fā)展趨勢(shì)。
    HBM4技術(shù)競(jìng)賽，進(jìn)入白熱化
  • 這一次，三星被臺(tái)積電卡脖子了
    在晶圓代工領(lǐng)域，三星與臺(tái)積電是純粹的競(jìng)爭(zhēng)關(guān)系，但在存儲(chǔ)芯片市場(chǎng)，作為行業(yè)霸主，三星卻不得不尋求與臺(tái)積電深入合作，這都是英偉達(dá)惹的禍。
    這一次，三星被臺(tái)積電卡脖子了
  • SK海力士HBM4曝光：5nm工藝，功耗大降30%
    SK海力士計(jì)劃明年量產(chǎn)的HBM4（第6代高帶寬存儲(chǔ)器）正在陸續(xù)揭曉。SK海力士計(jì)劃將HBM DRAM新產(chǎn)品的供應(yīng)周期從2年加快至1年，并與臺(tái)積電合作，以應(yīng)對(duì)人工智能（AI）行業(yè)增長(zhǎng)導(dǎo)致的需求激增而對(duì)客戶定制的HBM需求。
    SK海力士HBM4曝光：5nm工藝，功耗大降30%

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