MOSFET技術(shù)

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  • 芯片百大榜——峰岹科技,“硬”啃人形機器人?
    在上一篇文章《國內(nèi)外人形機器人用MCU對比分析》中,我們對國內(nèi)外人形機器人用MCU廠家進行了對比分析。今日,我們再來聊聊一家以自主研發(fā)為核心的(BLDC)電機驅(qū)動芯片公司——峰岹科技。 峰岹科技與大多數(shù)競爭對手采用的ARM 內(nèi)核架構(gòu)不同,公司從底層架構(gòu)上將芯片設(shè)計、電機驅(qū)動架構(gòu)、電機技術(shù)三者有效融合,用算法硬件化的技術(shù)路徑在芯片架構(gòu)層面實現(xiàn)復(fù)雜的電機驅(qū)動控制算法,形成自主知識產(chǎn)權(quán)的電機驅(qū)動控制處理
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    04/29 10:51
    芯片百大榜——峰岹科技,“硬”啃人形機器人?
  • 三代進化,安森美 EliteSiC MOSFET 技術(shù)發(fā)展解析
    SiC 器件性能表現(xiàn)突出,能實現(xiàn)高功率密度設(shè)計,有效應(yīng)對關(guān)鍵環(huán)境和能源成本挑戰(zhàn),也因此越來越受到電力電子領(lǐng)域的青睞。與硅 (Si) MOSFET 和 IGBT 相比,SiC 器件的運行頻率更高,有助于實現(xiàn)高功率密度設(shè)計、減少散熱、提高能效,并減輕電源轉(zhuǎn)換器的重量。其獨特的材料特性可以減少開關(guān)和導(dǎo)通損耗。與 Si MOSFET 相比,SiC 器件的電介質(zhì)擊穿強度更高、能量帶隙更寬且熱導(dǎo)率更優(yōu),有利于開發(fā)更緊湊、更高效的電源轉(zhuǎn)換器。
  • 提高工業(yè)電機效率:采用SiCMOSFET技術(shù)的三相逆變器
    工業(yè)電機需要可靠、高效的電源解決方案。這款采用SiC(碳化硅)MOSFET技術(shù)設(shè)計的三相逆變器代表著在滿足現(xiàn)代工業(yè)應(yīng)用的功率和效率需求方面邁出了重要一步。SiCMOSFET因其降低導(dǎo)通電阻和增加擊穿電壓的能力而受到認(rèn)可,使其成為高壓、高效應(yīng)用的理想選擇。在本文中,我們將介紹逆變器的規(guī)格、關(guān)鍵組件和操作功能。
    提高工業(yè)電機效率:采用SiCMOSFET技術(shù)的三相逆變器
  • KLV2002光耦固態(tài)繼電器的主要特性
    KLV2002采用光耦合MOSFET技術(shù),在輸入和輸出之間提供3750Vrms的隔離,以確保在高壓環(huán)境下安全運行。其隔離屏障由輸入側(cè)的高效GaAlAs紅外LED和輸出側(cè)的MOSFET組成,實現(xiàn)無電接觸的信號傳輸。
    KLV2002光耦固態(tài)繼電器的主要特性

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