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金屬-氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管,簡稱金氧半場效晶體管(Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor, MOSFET)是一種可以廣泛使用在模擬電路與數(shù)字電路的場效晶體管(field-effect transistor)。MOSFET依照其“通道”(工作載流子)的極性不同,可分為“N型”與“P型” 的兩種類型,通常又稱為NMOSFET與PMOSFET,其他簡稱上包括NMOS、PMOS等。

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    日前,威世科技Vishay Intertechnology, Inc.(NYSE 股市代號(hào):VSH)宣布,推出新的Gen 4.5 650?V E系列功率MOSFET---SiHK050N65E,為通信、工業(yè)和計(jì)算應(yīng)用提供高效率和高功率密度。與上一代器件相比,Vishay Siliconix N溝道SiHK050N65E的導(dǎo)通電阻降低了48.2 %,而電阻和柵極電荷乘積(功率轉(zhuǎn)換應(yīng)用中650V MO
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    隨著科技的飛速發(fā)展,測試工程師們常常面臨這樣的挑戰(zhàn):生產(chǎn)需求超出了現(xiàn)有測試系統(tǒng)的能力,或者需要同時(shí)測試多個(gè)參數(shù)。在這種情況下,傳統(tǒng)的解決方案通常是構(gòu)建更多的測試系統(tǒng)并配備更多的測試設(shè)備,尤其是在需要多臺(tái)直流電源的大功率應(yīng)用中。然而,這種方法不僅成本高昂,還增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性和維護(hù)難度。 典型應(yīng)用場景包括: 測試帶有多個(gè)逆變器和電池備份的太陽能電池組,確保其在復(fù)雜工況下的性能和可靠性; 同時(shí)為電動(dòng)汽
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    在全球數(shù)據(jù)中心加速向高效化、集約化轉(zhuǎn)型的背景下,高頻中大功率UPS(不間斷電源)市場需求持續(xù)攀升,對(duì)能效、功率密度及可靠性的要求亦日益嚴(yán)苛。 近日,英飛凌宣布與深圳科士達(dá)科技股份有限公司深化合作,通過提供英飛凌1200V CoolSiC? MOSFET和CoolSiC?二極管、650V CoolSiC? MOSFET器件以及EiceDRIVER?系列單通道磁隔離驅(qū)動(dòng)器等全套功率半導(dǎo)體解決方案,助力
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  • SiC MOSFET 如何提高 AI 數(shù)據(jù)中心的電源轉(zhuǎn)換能效
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  • 無人機(jī)電調(diào)系統(tǒng)技術(shù)架構(gòu)與電路設(shè)計(jì)解析
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