MRAM

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MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。

MRAM(Magnetoresistive Random Access Memory) 是一種非易失性(Non-Volatile)的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器(SRAM)的高速讀取寫入能力,以及動態(tài)隨機存儲器(DRAM)的高集成度,而且基本上可以無限次地重復(fù)寫入。收起

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  • 從閃存到MRAM:滿足現(xiàn)代FPGA配置的需求
    在技術(shù)飛速發(fā)展的今天,新興的航空電子、關(guān)鍵基礎(chǔ)設(shè)施和汽車應(yīng)用正在重新定義人們對現(xiàn)場可編程門陣列(FPGA)的期望。FPGA之前主要依靠閃存來存儲配置位流。這種方法適用于許多主流FPGA配置應(yīng)用;然而,隨著技術(shù)的進(jìn)步以及對更高可靠性和性能的需求增加,人們需要更多樣化的配置存儲選項。這種轉(zhuǎn)變的催化劑在于應(yīng)用和行業(yè)的不同需求,它們目前正不斷突破FPGA應(yīng)用的極限,要求在數(shù)據(jù)完整性、系統(tǒng)耐用性和運行效率等
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  • 這個30億元的MRAM項目順利封頂,存儲項目多點開花
    半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)日新月異,存儲芯片領(lǐng)域始終是技術(shù)角逐與產(chǎn)業(yè)革新的關(guān)鍵戰(zhàn)場。近期,致真存儲30億元MRAM項目順利封頂,行業(yè)內(nèi)多個存儲項目你追我趕,多點開花。華為在存儲設(shè)備采購項目中標(biāo),晶存科技穩(wěn)步擴(kuò)張,佰維存儲以及美光的項目也即將投產(chǎn)...
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  • MRAM,新興的黑馬
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  • 北京航空航天大學(xué)副校長趙巍勝:MRAM最新進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢
    近日,北京航空航天大學(xué)黨委常委、副校長趙巍勝,分享了MRAM最新進(jìn)展及未來發(fā)展趨勢。MRAM的前身是磁存儲,其是人工智能時代的根技術(shù),如今數(shù)據(jù)中心中有70%以上的數(shù)據(jù)依舊保存其中。十年前就有不少專家認(rèn)為未來磁存儲將被SSD完全取代,然而十年后,磁存儲依舊是最重要的存儲技術(shù)。
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