PMOS

• PMOS NBTI效應(yīng)，從失效原理到主流工藝改善！

  近年來，隨著半導(dǎo)體工業(yè)的不斷發(fā)展，集成電路設(shè)計及制造工藝取得了非常巨大的進步，越來越多的先進技術(shù)運用到集成電路制造工藝中，促進了集成電路尺寸的微縮。隨著器件尺寸的不斷縮小，尤其是進入先進技術(shù)節(jié)點之后，器件可靠性問題日趨嚴重，對器件的進一步微縮構(gòu)成的很大挑戰(zhàn)。其中PMOS負偏壓溫度不穩(wěn)定性（Negative bias temperature instability， NBTI）尤為突出，嚴重限制了PMOS器件壽命，已成為器件微縮時比較棘手的問題之一。

  國芯制造

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  04/28 12:05

  PMOS

  

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