SMPS

• 英飛凌推出采用Q-DPAK和TOLL封裝的全新工業(yè)CoolSiC MOSFET 650 V G2

  電子行業(yè)正在向更加緊湊而強(qiáng)大的系統(tǒng)快速轉(zhuǎn)型。為了支持這一趨勢(shì)并進(jìn)一步推動(dòng)系統(tǒng)層面的創(chuàng)新，全球功率系統(tǒng)、汽車(chē)和物聯(lián)網(wǎng)領(lǐng)域的半導(dǎo)體領(lǐng)導(dǎo)者英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）正在擴(kuò)展其CoolSiC? MOSFET 650 V單管產(chǎn)品組合，推出了采用Q-DPAK和TOLL封裝的兩個(gè)全新產(chǎn)品系列。 CoolSiC? MOSFET 650 V G2 Q-DPAK TSC

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  02/20 13:01

  英飛凌 MOSFET

  
• 英飛凌推出EiceDRIVER? 125 V高邊柵極驅(qū)動(dòng)器 在發(fā)生故障時(shí)保護(hù)電池驅(qū)動(dòng)應(yīng)用

  在電機(jī)驅(qū)動(dòng)和開(kāi)關(guān)模式電源（SMPS）等電池供電應(yīng)用中，電源架構(gòu)通常要求在模塊發(fā)生故障時(shí)能夠斷開(kāi)該模塊與主電源軌的連接。為實(shí)現(xiàn)這一功能，往往會(huì)采用MOSFET等高邊斷開(kāi)開(kāi)關(guān)，以防止負(fù)載短路影響電池。英飛凌科技股份公司（FSE代碼：IFX / OTCQX代碼：IFNNY）推出EiceDRIVER? 1EDL8011，這款高邊柵極驅(qū)動(dòng)器能夠在發(fā)生故障時(shí)保護(hù)電池供電應(yīng)用，例如無(wú)繩電動(dòng)工具、機(jī)器人、電動(dòng)自行

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  2024/10/25

  MOSFET 半導(dǎo)體器件

  
• 非常見(jiàn)問(wèn)題解答第222期：開(kāi)關(guān)模式電源問(wèn)題分析及其糾正措施：晶體管時(shí)序和自舉電容問(wèn)題

  作者：Abe Ibraheim，核心應(yīng)用部實(shí)習(xí)生， Kenneth Armijo，核心應(yīng)用部工程師， Piyu Dhaker，資深工程師 問(wèn)題 當(dāng)輸入和輸出電壓接近時(shí)，為什么難以獲得穩(wěn)定的輸出電壓？ 回答 占空比過(guò)大或過(guò)小（尤其是在高開(kāi)關(guān)頻率下）可能會(huì)導(dǎo)致時(shí)序不符合規(guī)格要求，進(jìn)而造成系統(tǒng)性能下降。 摘要 本文是系列文章中的第三篇，該系列文章將討論常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問(wèn)題及其糾正方案

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  2024/10/17

  轉(zhuǎn)換器 SMPS

  
• 非常見(jiàn)問(wèn)題解答第220期：開(kāi)關(guān)模式電源問(wèn)題分析及其糾正措施：電感器不符合規(guī)格要求

  問(wèn)題 為什么我的電源會(huì)出現(xiàn)振鈴和過(guò)熱？ 回答 電感器尺寸不當(dāng)和超出電感飽和電流額定值可能會(huì)導(dǎo)致DC-DC轉(zhuǎn)換器出現(xiàn)多種問(wèn)題，其中兩個(gè)問(wèn)題是振鈴和過(guò)熱。 摘要 本文是系列文章中的第一篇，該系列文章將討論常見(jiàn)的開(kāi)關(guān)模式電源(SMPS)的設(shè)計(jì)問(wèn)題及其糾正方案。本文旨在解決DC-DC開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓器的功率級(jí)設(shè)計(jì)中面臨的復(fù)雜難題，重點(diǎn)分析電感問(wèn)題。設(shè)計(jì)人員為了獲得各種優(yōu)勢(shì)，例如減少輸出紋波和盡量縮減解決方案尺寸，

  亞德諾半導(dǎo)體

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  2024/08/08

  穩(wěn)壓器 電感器

  
• Nexperia的650 V兩種超快速恢復(fù)整流二極管采用D2PAK真雙引腳封裝

  封裝配置使整流二極管符合更高的爬電距離和電氣間隙標(biāo)準(zhǔn) Nexperia今天推出了采用D2 PAK真雙引腳 (R2P) 封裝的650V兩種超快速恢復(fù)整流二極管，可用于各種工業(yè)和消費(fèi)應(yīng)用，包括充電適配器、光伏 (PV)、逆變器、服務(wù)器和開(kāi)關(guān)模式電源 (SMPS)。 這些整流二極管結(jié)合了平面芯片技術(shù)和最先進(jìn)的結(jié)高壓終端 (JTE) 設(shè)計(jì)，具有高功率密度、快速開(kāi)關(guān)時(shí)間、軟恢復(fù)能力和出色的可靠性。它們采用D

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  2024/07/10

  封裝 Nexperia

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