芯耀
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近日，半導體海外大廠動態(tài)頻頻，首先，在擴產(chǎn)上，京瓷斥資4.7億美元在日本建芯片材料工廠，蔡司SMT擴產(chǎn)DUV產(chǎn)能，NXP確認與臺積電和格芯討論去印度建廠。另外，日本計劃增加對Rapidus的支持，三星電子計劃開發(fā)下一代低溫焊料，并且與AMD宣布延長授權協(xié)議。
京瓷：擬投資約4.7億美元在日本建芯片材料工廠
據(jù)外媒消息，京瓷周三表示，將投資620億日元（約4.7億美元）建立一個新的半導體相關部件的工廠。據(jù)悉，新的工廠將在今年晚些時候在日本長崎的諫早市破土動工，該筆資金的使用期限到2029年3月。
京瓷總裁谷本英夫在長崎市的一次新聞發(fā)布會上說："我們將占領先進的半導體元件市場，這個市場在中長期內將翻一番。"
公開資料顯示，該工程預計在2026年4月前完成，并在第二年開始運營。該工廠將生產(chǎn)用于芯片制造機械的精細陶瓷部件，以及先進半導體的包裝材料。預計該工廠在2028財年的產(chǎn)值將達到250億日元。這將是該公司自2005年在京都縣開設綾部工廠以來的第一個國內工廠。
隨著半導體節(jié)點縮小到幾納米大小，其生產(chǎn)需要越來越復雜的工藝。這就造成了對光刻系統(tǒng)的陶瓷部件的需求不斷增長。與金屬部件相比，陶瓷具有更強的抗熱膨脹和抗腐蝕能力。據(jù)悉，京瓷在一系列陶瓷部件方面的全球份額達到了70%-80%。迄今為止，該公司已通過擴大其位于九州島鹿兒島縣和其他地方的旗艦工廠的產(chǎn)能來應對不斷擴大的需求。
據(jù)悉，京瓷計劃在截止到2026年3月的三年內進行9000億日元的整體資本支出，這大約是京瓷前三年資本支出的兩倍，其中，超越一半的資本支出將用于半導體相關業(yè)務。
三星：開發(fā)下一代低溫焊料，和AMD宣布延長授權協(xié)議
據(jù)外媒消息，近日，三星電子已開始開發(fā)用于下一代高科技封裝的低溫焊接技術，計劃到2025年完成技術開發(fā)并實現(xiàn)量產(chǎn)。
據(jù)悉，焊料是一種用于連接封裝基板和半導體芯片管芯的材料。與需要200°C或更高溫度的傳統(tǒng)焊料不同，使用低溫焊料可以降低封裝工藝成本和不良率。
此外，4月6日，三星和AMD宣布，已延長雙方的戰(zhàn)略知識產(chǎn)權授權協(xié)議，三星電子將繼續(xù)獲得AMD的Radeon圖形IP授權。
三星應用處理器(AP)開發(fā)執(zhí)行副總裁Seogjun Lee表示：“三星與AMD一起革新了移動圖形，包括我們最近的合作，在業(yè)內首次將光線追蹤功能引入移動處理器。利用我們在設計超低功耗解決方案方面的技術訣竅，我們將繼續(xù)推動移動圖形領域的持續(xù)創(chuàng)新?！?/p>
早在2019年，雙方就簽署了首個協(xié)議，允許AMD將其基于RDNA圖形架構的定制圖形IP授權給三星，用于智能手機和其他移動設備。從那時起，三星一直在為其Galaxy智能手機的Exynos處理器使用AMD Radeon圖形解決方案。
三星官方財報數(shù)據(jù)顯示，該公司2022年實現(xiàn)營業(yè)利潤43.38萬億韓元，同比下滑15.99%；銷售額302.23萬億韓元，同比增長8.09%；凈利潤55.65萬億韓元，同比增加39.46%。據(jù)悉，三星將于本周五披露3月季度的初步業(yè)績。面對業(yè)界同行美光、SK海力士、鎧俠等均減產(chǎn)的舉動，三星一直堅持擴產(chǎn)增資，當前半導體周期下行，三星盈利持續(xù)不及預期，接下來它將采取何種措施呢？
供不應求，蔡司SMT擴產(chǎn)DUV產(chǎn)能
據(jù)外媒消息，近日，為半導體光刻設備制造光學元件的卡爾蔡司半導體制造技術公司（以下簡稱“蔡司SMT”）將在其位于德國黑森州韋茨拉爾（Wetzlar）的工廠開始建設新的光學元件工廠，以生產(chǎn)DUV（深紫外）光刻設備。它計劃于2025年完成。
公開資料顯示，蔡司SMT是德國領先的光學設備制造商Carl Zeiss（卡爾蔡司）的子公司，主要為半導體光刻設備提供光學元件和光掩模系統(tǒng)以及過程控制解決方案。據(jù)悉，荷蘭半導體曝光設備制造商ASML所用的光學元件也由蔡司SMT提供。蔡司SMT表示，“全球80%以上的微芯片都是使用我們的光學元件制造的?！?/p>
據(jù)悉，蔡司SMT的韋茨拉爾工廠已經(jīng)為DUV 光刻設備制造光學元件超過20 年，隨著對半導體制造設備需求的增加，其現(xiàn)有的制造能力已經(jīng)達到極限，所以蔡司唯有擴建。據(jù)介紹，蔡司SMT新工廠的總生產(chǎn)面積將超過12,000平方米，將額外創(chuàng)造150個工作崗位。該工廠將為最新的DUV光刻設備制造和開發(fā)光學元件。
該公司還于2023年3月22日宣布，將擴建位于德國黑森州羅斯多夫的研發(fā)基地。它計劃到2026年底投資超過2000萬歐元。該中心專注于納米結構研究和開發(fā)以納米精度修復光掩模缺陷的系統(tǒng)。
恩智浦半導體正與臺積電和格芯討論去印度建廠
據(jù)印度經(jīng)濟時報報道，恩智浦半導體（NXP）正與臺積電和格芯（Globalfoundries）等代工合作伙伴討論在印度建立芯片制造廠的事宜。報道稱，恩智浦（NXP）總裁兼CEO庫爾特·西弗斯（Kurt Sievers）表示，他告訴印度總理莫迪，他將“強烈推薦”印度作為恩智浦代工合作伙伴的未來選址。
據(jù)悉，恩智浦正擴大在印度的研發(fā)和芯片設計。其在印度諾伊達、班加羅爾、海得拉巴和普那都設有工廠，共有約4000名工程師。
目前，印度在汽車、工業(yè)和醫(yī)療保健等領域有著強大的產(chǎn)品制造能力，該國一直在推動芯片制造的進入。
據(jù)印度媒體此前報道，印度卡納塔克邦(Karnataka) 信息技術、電子和技能發(fā)展部長Ashwath Narayan表示，如果可以按時獲批，ISMC Digital將在卡納塔克邦斥資30億美元建設一座晶圓廠，預計將在幾個月內開工。
該廠為印度第一家芯片制造廠，原定計劃最快于今年的2月開始建設，從當前動態(tài)來看，該計劃似乎被推遲。
力拼先進芯片發(fā)展，日本計劃增加對Rapidus的支持
據(jù)外媒消息，日本經(jīng)濟產(chǎn)業(yè)大臣西村康稔承諾，日本將增加對芯片制造商Rapidus Corp的財政支持，因為該公司致力于開發(fā)尖端半導體，此類組件的生產(chǎn)對日本在人工智慧和自動駕駛領域取得優(yōu)異成績至關重要。
公開資料顯示，Rapidus是由索尼集團和NEC等8家科技大廠去年在東京共同投資的合資企業(yè)，目標是到2025年在日本制造出尖端的2納米芯片。日本此前已表示將向Rapidus投資700億日元（約5.25億美元）。此計劃由尖端半導體科技中心（the Leading-edge Semiconductor Technology Center，LSTC）統(tǒng)籌，日本10年間將通過LSTC投資Rapidus達347億美元。
今年2月末消息顯示，Rapidus的社長小池淳義在與北海道知事鈴木直道會面后表示，Rapidus敲定了在北海道建設工廠的方針，預計候選地為北海道千歲市的工業(yè)園區(qū)。
另據(jù)業(yè)界媒體報道，Rapidus預定2025上半年建造一條2納米原型產(chǎn)線，希望2025年追上開始量產(chǎn)2納米的臺積電與其他世界級半導體對手。
不過要達成目標，需約7萬億日元（約540億美元）資金，才能2027年左右開始量產(chǎn)先進邏輯芯片。因此，日本政府通過LSTC投資金額可能會更高，以滿足將來需求。
不過，業(yè)界一些人士懷疑Rapidus能否在如此短的時間內實現(xiàn)2納米芯片生產(chǎn)，因為該技術比三星電子和臺積電等領先企業(yè)目前提供的技術更先進。
