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Qorvo? 推出采用 TOLL 封裝的 750V 4mΩ SiC JFET

2024/06/12
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全球領(lǐng)先的連接和電源解決方案供應(yīng)商 Qorvo?(納斯達(dá)克代碼:QRVO)今日宣布,率先在業(yè)界推出采用 TOLL 封裝的 4mΩ 碳化硅SiC結(jié)型場效應(yīng)晶體管(JFET)——UJ4N075004L8S。該產(chǎn)品專為包括固態(tài)斷路器在內(nèi)的電路保護(hù)應(yīng)用而設(shè)計(jì),UJ4N075004L8S 所具有的低電阻、卓越的熱性能、小巧的尺寸和高可靠性等優(yōu)點(diǎn)在上述應(yīng)用中至關(guān)重要。

UJ4N075004L8S 的導(dǎo)通電阻 RDS(on) 低至 4mΩ,是業(yè)內(nèi)采用標(biāo)準(zhǔn)分立封裝的 650V 至 750V 等級(jí)功率器件中導(dǎo)通電阻最低的器件。較低的導(dǎo)通電阻使發(fā)熱量顯著降低,加之緊湊的 TOLL 封裝,使解決方案的尺寸比 TO-263 封裝的同類產(chǎn)品小 40%。新品可應(yīng)對(duì)目前電磁式斷路器對(duì)有限空間尺寸的所有要求,且無需復(fù)雜的冷卻系統(tǒng)即可運(yùn)行,加速從電磁式斷路器向基于半導(dǎo)體的固態(tài)斷路器(SSCB)的轉(zhuǎn)型。

“隨著 UJ4N075004L8S 的推出,Qorvo 將繼續(xù)領(lǐng)導(dǎo) SiC 電源產(chǎn)品的創(chuàng)新,以超小型元件封裝的超低導(dǎo)通電阻 FET 器件助力電路保護(hù)等應(yīng)用的發(fā)展。”Qorvo SiC 電源產(chǎn)品業(yè)務(wù)產(chǎn)品線市場總監(jiān) Ramanan Natarajan 表示,“SSCB 市場正迅速增長,Qorvo 的最新產(chǎn)品是這一技術(shù)演進(jìn)中的重要里程碑?!?/p>

Qorvo 的 JFET 器件堅(jiān)固耐用,能夠在電路故障時(shí)承受極高的浪涌電流并實(shí)現(xiàn)關(guān)斷,非常適合應(yīng)對(duì)電路保護(hù)領(lǐng)域的挑戰(zhàn)。其最新款 JFET 還能承受高瞬時(shí)結(jié)溫而不發(fā)生性能劣化或參數(shù)漂移。JFET 的常開特性使其能無縫集成到默認(rèn)導(dǎo)通狀態(tài)的系統(tǒng)中,并在故障條件下轉(zhuǎn)為關(guān)斷狀態(tài)。

UJ4N075004L8S 現(xiàn)已提供樣品,并將于 2024 年第四季度投入量產(chǎn);屆時(shí),Qorvo 還將推出更多 JFET 產(chǎn)品,包括額定電壓為 750V 的 5mΩ 產(chǎn)品和額定電壓 1200V 的 8mΩ 產(chǎn)品,均采用 TO-247 封裝。獲取有關(guān)這一變革性電源技術(shù)的更多詳情及詳細(xì)產(chǎn)品規(guī)格,請(qǐng)?jiān)L問 Qorvo 電源解決方案網(wǎng)站。

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HMC349AMS8GETR 1 Hittite Microwave Corp Diversity Switch, 0MHz Min, 4000MHz Max, 2.1dB Insertion Loss-Max, MSOP-8
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HMC1082LP4ETR 1 Analog Devices Inc 5.5 GHz to 18 GHz, GaAs, pHEMT, MMIC, Medium Power Amplifier

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