產(chǎn)能超25萬片！2個GaN項目加速推進

近日，“行家說三代半”發(fā)現(xiàn)，國內(nèi)新增2個GaN項目動態(tài)，分別涉及譽鴻錦、聯(lián)晶通半導(dǎo)體。據(jù)不完全統(tǒng)計，今年以來一共有13個GaN項目透露進展，其中第二季度出現(xiàn)了6個，占比約50%：

來源：行家說Research-《第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)2025季度內(nèi)參》

譽鴻錦：氮化鎵項目進行戰(zhàn)略擴產(chǎn)

5月，江西譽鴻錦芯片科技有限公司在官微透露，他們進行戰(zhàn)略擴產(chǎn)的設(shè)備正按計劃陸續(xù)進廠中，后續(xù)芯片生產(chǎn)相關(guān)設(shè)備也將陸續(xù)進駐，設(shè)備擴容后，將顯著提升氮化鎵芯片產(chǎn)能，助力5G/物聯(lián)網(wǎng)芯片等高端產(chǎn)品量產(chǎn)能力實現(xiàn)跨越式發(fā)展，加速推進5G/新能源市場布局。

譽鴻錦表示，他們的產(chǎn)線采用自動化操作，擴線后產(chǎn)能將大幅度提升，緊急訂單響應(yīng)速度更快，同時能保證更穩(wěn)定的良率。

值得注意的是，江西譽鴻錦芯片于2022年表示，他們未來5年將規(guī)劃投資約50億元建設(shè)氮化鎵項目，共分三期建設(shè)：

一期：投資約3億元 ，其中生產(chǎn)設(shè)備投資2.7億元 ，建設(shè)包含6臺MOCVD的氮化鎵外延生產(chǎn)線（投資約1億元 ），一條芯片中試生產(chǎn)線（投資約1.3億元 ）以及一條封裝測試線（投資約7000萬元 ）；

二期：投資金額約9億元 ，投資新增10臺MOCVD的氮化鎵外延片生產(chǎn)線，建一條芯片量產(chǎn)線和再增加10臺MOCVD的氮化鎵外延片生產(chǎn)線；

三期：投資金額約38億元 ，其中增加兩條氮化鎵芯片生產(chǎn)線，月產(chǎn)能20000片，對應(yīng)約2億顆芯片，項目完成后將可實現(xiàn)年主營業(yè)務(wù)收入達100億左右。

2023年10月，據(jù)譽鴻錦公司透露，他們目前擁有從晶體生長、襯底加工、外延沉積、芯片制造、模組封測相關(guān)設(shè)備600余臺套，擁有襯底、外延和芯片產(chǎn)品完備的檢測設(shè)備20余臺，其中關(guān)鍵設(shè)備MOCVD就有20多臺，并且自研的MOCVD設(shè)備目前已經(jīng)上線并進入最后的調(diào)試階段。

與此同時，譽鴻錦的一期中試線產(chǎn)能達到每月1.5萬片，另外，他們正在園區(qū)旁邊加快建設(shè)二期量產(chǎn)線，二期廠房預(yù)計將于今年年底封頂，其中首條批量線預(yù)計于2024年底前建成，月產(chǎn)能為6-7萬片，而整個二期工程全部建成投產(chǎn)后，每月產(chǎn)能將達到25萬片。

聯(lián)晶通半導(dǎo)體：氮化鎵外延項目落地重慶

5月，據(jù)西部重慶科學(xué)城官微透露，他們在第七屆中國西部國際投資貿(mào)易洽談會上共計簽約項目10個，投資總額89.3億元，其中包括一個氮化鎵項目。

據(jù)了解，該項目為聯(lián)晶通硅基氮化鎵產(chǎn)業(yè)項目，將在科學(xué)城投資建設(shè)產(chǎn)線，逐步建成1萬片硅基氮化鎵外延片產(chǎn)能。

官網(wǎng)介紹，重慶聯(lián)晶通半導(dǎo)體科技有限公司總部位于重慶，是一家專注于寬禁帶半導(dǎo)體材料研發(fā)與代工服務(wù)的高新技術(shù)企業(yè)。公司聚焦硅基氮化鎵（GaN-on-Si）外延技術(shù)，致力于為全球客戶提供高品質(zhì)、高性能的八英寸外延片及解決方案。