馬克龍：法國(guó)必須掌握2至10納米先進(jìn)制程半導(dǎo)體制造能力

在AI浪潮與國(guó)際形勢(shì)變動(dòng)的大環(huán)境下，半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)已成為各國(guó)競(jìng)爭(zhēng)的核心戰(zhàn)場(chǎng)。近期，法國(guó)總統(tǒng)馬克龍?jiān)诎屠鑆ivaTech會(huì)議期間表示，法國(guó)必須掌握2至10納米先進(jìn)制程半導(dǎo)體制造能力，在全球科技供應(yīng)鏈中占據(jù)不可替代的位置。

法國(guó)雄“芯”勃勃，臺(tái)積電、三星或成關(guān)鍵外援

近年，法國(guó)不斷通過(guò)政策扶持、產(chǎn)學(xué)研協(xié)同與國(guó)際合作等方式，力求實(shí)現(xiàn)半導(dǎo)體領(lǐng)域突圍。目前，該國(guó)在半導(dǎo)體領(lǐng)域的優(yōu)勢(shì)主要集中在成熟制程和特定應(yīng)用領(lǐng)域。

“法國(guó)2030”投資計(jì)劃將半導(dǎo)體列為七大顛覆性創(chuàng)新領(lǐng)域之一，明確提出到2030年投入55億歐元專項(xiàng)資金，其中29億歐元已落地支持意法半導(dǎo)體與格芯合資的75億歐元晶圓廠項(xiàng)目。這座位于克羅勒的工廠預(yù)計(jì)2028年實(shí)現(xiàn)滿產(chǎn)，年產(chǎn)能達(dá)62萬(wàn)片18納米晶圓，直指汽車電子、物聯(lián)網(wǎng)等戰(zhàn)略市場(chǎng)。

產(chǎn)學(xué)研協(xié)同方面，格勒諾布爾的CEA-Leti實(shí)驗(yàn)室研發(fā)的FD-SOI（全耗盡絕緣體上硅）技術(shù)助力意法半導(dǎo)體實(shí)現(xiàn)18納米制程突破，格芯則將其應(yīng)用于低功耗芯片制造。

不過(guò)在先進(jìn)制程領(lǐng)域，法國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)還有很大發(fā)展空間。目前，臺(tái)積電與三星是全球少有的掌握2納米至10納米制程的晶圓代工廠商，并且兩家大廠均計(jì)劃今年量產(chǎn)2納米芯片。業(yè)界認(rèn)為，法國(guó)要想實(shí)現(xiàn)生產(chǎn)尖端芯片愿景，最可行路徑之一是說(shuō)服臺(tái)積電或三星等大廠前往法國(guó)設(shè)廠。

臺(tái)積電3nm產(chǎn)能正持續(xù)擴(kuò)張，以滿足蘋(píng)果、英偉達(dá)等核心客戶需求。臺(tái)積電2nm（N2）制程將于2025年下半年量產(chǎn)，采用全環(huán)繞柵極（GAA）納米片晶體管技術(shù)。相較于3nm（N3E），N2在相同功耗下速度提升10%-15%，功耗降低25%-30%，晶體管密度增加15%。另外，臺(tái)積電已規(guī)劃N2P（性能增強(qiáng)版）和A16（背面供電技術(shù)）作為后續(xù)節(jié)點(diǎn)，其中A16通過(guò)將供電網(wǎng)絡(luò)移至晶圓背面，進(jìn)一步釋放布局空間，適合高性能計(jì)算（HPC）場(chǎng)景。

在3nm領(lǐng)域，三星良率低于臺(tái)積電，不過(guò)三星仍獲得了部分客戶訂單。業(yè)界認(rèn)為，未來(lái)三星將在2nm領(lǐng)域積極追趕臺(tái)積電。三星在2025年第一季財(cái)報(bào)中強(qiáng)調(diào)，穩(wěn)定2納米GAA制程的良率是目前首要任務(wù)，預(yù)期下半年展開(kāi)全面量產(chǎn)，以爭(zhēng)取更多下一代制程的主要客戶。6月韓媒報(bào)道，三星今年年初2納米芯片良率僅30%，但從上月起已朝著50%目標(biāo)邁進(jìn)。

法國(guó)能否吸引三星、臺(tái)積電？尚需解決四大瓶頸

值得一提的是，為應(yīng)對(duì)國(guó)際形勢(shì)變化，晶圓代工大廠愈發(fā)注重全球化產(chǎn)能布局，業(yè)界指出，這為法國(guó)吸引臺(tái)積電、三星建廠提供了一定可能性，但晶圓廠資金投入與技術(shù)門(mén)檻極高，法國(guó)發(fā)力先進(jìn)制程還需要解決四大瓶頸。

一是補(bǔ)貼與成本平衡，法國(guó)需提供比肩德國(guó)、美國(guó)的補(bǔ)貼力度，同時(shí)通過(guò)稅收優(yōu)惠、能源成本管控降低綜合成本，以吸引晶圓代工廠商投資建廠。

二是技術(shù)生態(tài)升級(jí)，三星與臺(tái)積電的2納米制程均采用GAA（全環(huán)繞柵極）技術(shù)，而法國(guó)在這一領(lǐng)域的技術(shù)積累和產(chǎn)業(yè)鏈配套仍顯不足。

三是市場(chǎng)需求培育，此前法國(guó)專注成熟制程領(lǐng)域發(fā)展，在AI領(lǐng)域的布局尚未形成規(guī)?；枨螅磥?lái)法國(guó)或?qū)⑼ㄟ^(guò)政策引導(dǎo)（如政府采購(gòu)、本土AI企業(yè)扶持）創(chuàng)造對(duì)先進(jìn)制程的規(guī)模化需求。

四是人才與可持續(xù)性發(fā)展，半導(dǎo)體制造需要大量高技能人才，而法國(guó)面臨工程師短缺問(wèn)題。與此同時(shí)，先進(jìn)制程對(duì)能源和水資源提出了高需求，這可能與法國(guó)的碳中和目標(biāo)存在潛在沖突。

綜上，法國(guó)發(fā)力先進(jìn)制程芯片制造的雄“芯”計(jì)劃仍處于早期階段，能否實(shí)現(xiàn)還需觀察法國(guó)政策補(bǔ)貼與執(zhí)行，以及未來(lái)臺(tái)積電、三星等大廠的戰(zhàn)略選擇。