芯耀
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近日，格羅方德正式啟動成都制造基地 12 英寸晶圓制造生產(chǎn)線的建設(shè)，該晶圓制造工廠為格芯與成都地方政府合資，共分兩期建設(shè)，項目價值近百億美元。格羅方德首席執(zhí)行官桑杰表示：“中國是全球規(guī)模最大和增長最快的半導(dǎo)體市場，而格羅方德過去在這方面缺少布局，需要補上?！?/p>
據(jù)統(tǒng)計，中國大陸 2012 年開始，晶圓設(shè)備支出金額與建廠投資金額快速成長，占全球設(shè)備投資金額比重，自 5 至 7%一路往上攀升，至去年底止大陸晶圓設(shè)備投資金額已占全球比重達 19%。 SEMI 表示，今年全球晶圓廠建廠支出金額估較去年下滑 17-18%，但大陸逆勢成長，展現(xiàn)雄心壯志擴充當?shù)鼐A廠規(guī)模，換算今年全球晶圓建廠支出金額中，大陸占比高達 7 成，預(yù)期當?shù)亟◤S支出金額將持續(xù)成長至明年。追本溯源，在 2014 年啟動的近 1400 億元的大基金，讓中國企業(yè)快速發(fā)展，中國這個龐大的市場，加上本土對半導(dǎo)體的渴求，吸引了越來越多的半導(dǎo)體廠商在中國投資建設(shè)和合作建廠。今天與非網(wǎng)就盤點一下，在中國建廠的那些國際半導(dǎo)體巨頭們。
英特爾
早在 2010 年 10 月，英特爾公司在中國的首個晶圓制造設(shè)施在大連落成。這座位于大連市金州新區(qū)出口加工區(qū)內(nèi)的中國首個晶圓制造廠是英特爾 1992 年在愛爾蘭建立 F10 晶圓廠后，新建的第一座晶圓廠，也是英特爾在亞洲的第一個晶圓制造工廠。
大連芯片廠的投資總額為 25 億美元，與 2007 年 9 月破土動工。英特爾大連芯片廠是英特爾在全球第八家 300 毫米晶圓廠，投產(chǎn)后將首先生產(chǎn)芯片組產(chǎn)品，支持從筆記本電腦，高性能臺式機到基于英特爾至強處理器的服務(wù)器等各種領(lǐng)先產(chǎn)品，工廠將首先采用 65nm 制程技術(shù)。
然而在 2015 年 10 月英特爾公司發(fā)了一則消息，大連 12 英寸廠將改變產(chǎn)品路線，轉(zhuǎn)型為生產(chǎn)最新的 3D-NAND Flash 晶片，總投資金額高達 55 億美元，月產(chǎn)能為 3—4 萬片。改變產(chǎn)品線路的原因，業(yè)內(nèi)人士分析，一方面是經(jīng)濟危機下全球 PC 產(chǎn)業(yè)持續(xù)遭受移動互聯(lián)網(wǎng)的沖擊，不調(diào)整產(chǎn)品線，大連廠就失去任何意義，沒有競爭力。另一方面大陸積極發(fā)展半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)，存儲已成為卡位重點，英特爾此時選擇讓大連廠轉(zhuǎn)型，藉由加入紅色供應(yīng)鏈避免成為競爭的對象，顯然是其重要的策略，但也因此協(xié)助擴大大陸發(fā)展存儲的能量，臺積電、GF 難道不要抖三抖？
就英特爾目前釋出的訊息來看，大連廠將會生產(chǎn)先進的 3D NAND 產(chǎn)品，與三星、東芝、SK 海力士等競爭對手爭搶市場。若是進一步用來生產(chǎn)日前與美光合作發(fā)表的新技術(shù) 3DXPoint，因為速度是 NAND 芯片的 1,000 倍、密度比 DRAM 高 10 倍，可同時取代 DRAM 和 NAND 芯片，對產(chǎn)業(yè)的沖擊性將更大。
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三星
在 2014 年，韓國三星電子 2014 年宣布投資約 900 億元在中國西安興建晶圓代工廠，月產(chǎn)能 10 萬片，加碼半導(dǎo)體業(yè)務(wù)，為扭轉(zhuǎn)智能手機業(yè)務(wù)頹勢，緊抓中國設(shè)備熱潮。其實早在 2011 年 11 月三星就曾宣布自己打算建 NAND 閃存晶圓廠服務(wù)國內(nèi)智能手機和平板電腦廠商。
據(jù)業(yè)內(nèi)人士分析，三星在西安的投資，表面上是一座最先進的晶圓廠，生產(chǎn)手機用閃存（NAND Flash），然而骨子里，卻是印證三星戰(zhàn)略轉(zhuǎn)向的重大改變——從過去手機掛帥的系統(tǒng)品牌廠，重回零組件廠商的定位。這項重大轉(zhuǎn)變，矛頭直指中國臺灣，從三星半導(dǎo)體基地正式運轉(zhuǎn)，想閃開三星的破壞力，幾乎已經(jīng)是不可能了。
三星策略的轉(zhuǎn)變，背后還有一大主因，那就是中國手機品牌的崛起，“低價高規(guī)格”的強烈訴求，迫使三星全球智能型手機市占率從 2013 年第四季約 30％，降到 2014 年第四季的近 20％，已經(jīng)被蘋果從后追上、兩者并列為市場龍頭。不僅如此，從這座三星西安晶圓廠讓人們看到了韓國政府與企業(yè)的野心。
臺積電
臺積電 2016 年 3 月 28 日宣布，已與南京市政府簽署協(xié)議，將投資 30 億美元（約合人民幣 195 億元）在南京建立一座 12 英寸晶圓工廠及一個設(shè)計服務(wù)中心。臺積電董事長張忠謀此前感慨：“即使現(xiàn)在去也已經(jīng)晚三星一年，但再不登陸，未來恐將毫無競爭力，實在是時間已晚，不得不去?！?/p>
在 2016 年 7 月 7 日上午，臺積電南京 12 英寸晶圓廠暨設(shè)計服務(wù)中心在南京江北新區(qū)開工建設(shè)，臺積電遠赴南京建置首座 12 寸晶圓廠，正是想搭上中國半導(dǎo)體快速成長的順風(fēng)車。臺積電規(guī)劃，南京 12 英寸晶圓廠預(yù)計 2018 年下半年開始量產(chǎn) 16 納米制程，單月產(chǎn)能規(guī)模約 2 萬片，預(yù)計占臺積電總產(chǎn)能的 2.5%。
可以看出，在中國臺灣當局“傲嬌”的同時，Intel、三星、格羅方德等公司卻無比的現(xiàn)實，主動到中國大陸尋求投資機會，對手捷足先登也讓臺積電按捺不住。該投資案 2016 年 2 月終獲中國臺灣“經(jīng)濟部投資審議委員會”同意，一直以來，中國臺灣當局對高科技企業(yè)轉(zhuǎn)移到大陸諱莫如深，從來都是只轉(zhuǎn)移勞動力密集型企業(yè)?！爸袊_灣行政院”于 2015 年 9 月才公布新規(guī)定，準許中國臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在大陸新設(shè) 12 寸芯片廠，前提是大陸新設(shè)的工廠須與中國臺灣保持“N-1”代的技術(shù)落差，且主導(dǎo)權(quán)要由中國臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)掌控、對中國臺灣有相對投資。同時，中國臺灣半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)在大陸設(shè)廠，將以三座為限。
臺積電卻依舊信心滿滿，此前張忠謀強調(diào)，臺積電目前技術(shù)領(lǐng)先大陸五年左右，就算紅色供應(yīng)鏈要取代臺積電，至少也要十年以后。若半導(dǎo)體制程每 18 個月推演至下一個新世代制程的“摩爾定律”再繼續(xù)發(fā)展五年，到了 2020 年，臺積電的技術(shù)還是會領(lǐng)先大陸五年。若悲觀假設(shè)摩爾定律無法延續(xù)下去，臺積電不再進步，大陸也要花五年才能趕上，“但那也是以后的事”。他信心十足地說，若摩爾定律在 2020 年停止，“我們就繼續(xù)領(lǐng)先五年?！?/p>
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SK 海力士
2006 年，海力士和意法半導(dǎo)體公司在中國江蘇省無錫市合資建立的存儲器芯片前端制造廠舉行了正式的開業(yè)典禮。 這個新工廠將負責(zé)制造 NAND 閃存和 DRAM 存儲器芯片，該合資公司是海力士與意法半導(dǎo)體成功合作的結(jié)晶。
SK 海力士無錫廠于 2013 年 9 月 4 日遭火災(zāi)沖擊，由于起火點在晶圓廠內(nèi)部，無錫廠全面停工長達一個月，單月全球 DRAM 供給量劇減 10%。SK 海力士無錫廠火災(zāi)過后的 10 月與 11 月份投片為 3 萬片及 7 萬片左右。無錫廠滿載為 13 萬片。
目前情況，海力士無錫公司主要產(chǎn)品為 12 英寸集成電路晶圓，應(yīng)用于 PC，Server，Graphic，Mobile，Graphic 等固態(tài)存儲器領(lǐng)域。SK 海力士中國公司是無錫市惟一獲得國務(wù)院核準建設(shè)的工業(yè)項目，一期總投資為 20 億美元，二期投資 15 億美元，三期項目投資 25.55 億美元，四期項目投資 20 億美元，自 2005 年在錫設(shè)立以來，歷經(jīng) 5 期重大投資建設(shè)，累計投資額達 105 億美元。據(jù)最新消息，SK 海力士將在無錫啟動第二工廠建設(shè)，總投資金額達到 36 億美元。然官方并未透露進一步的計劃與詳細資訊。目前 SK 海力士無錫廠目前最高產(chǎn)能每月可達 13 萬片，約占 SK 海力士 DRAM 產(chǎn)能的一半。
TI
2010 年 10 月份德州儀器宣布從成都成芯半導(dǎo)體制造有限公司手中購得一家 200 毫米晶圓生產(chǎn)廠。這家晶圓廠位于成都高新技術(shù)開發(fā)區(qū)，設(shè)備齊全，此前由中芯國際運營。收購?fù)瓿珊?，該工廠將成為德州儀器在中國的首家晶圓生產(chǎn)廠。德州儀器負責(zé)模擬集成電路的高管洛維曾經(jīng)表示：這家成都晶圓廠每年將為德州儀器增加 10 億美元的產(chǎn)能。
2014 年德州儀器宣布將在中國成都設(shè)立 12 英寸晶圓凸點加工廠，以擴展公司的制造能力。在成都新增的制造工藝將進一步提高 TI 的 12 英寸模擬晶圓制造產(chǎn)能，并在更大程度上滿足客戶需求。
聯(lián)電
在 2014 年，有媒體報道，中國臺灣代工廠聯(lián)電最近與廈門市政府達成協(xié)議，將在當?shù)嘏d建一座晶圓廠，這座工廠由聯(lián)電、廈門市政府、福建省電子信息集團合作興建，總投資最多將達 380 億元人民幣，預(yù)計 2016 年底上線，初步使用 45nm、40nm 工藝，生產(chǎn) 300 毫米晶圓，月產(chǎn)能 5 萬塊晶圓。
在 2016 年 11 月份，聯(lián)電宣布其位于廈門的 12 寸合資晶圓廠──聯(lián)芯集成電路制造（廈門）有限公司，正式舉辦盛大的開幕典禮。此一先進晶圓廠打破過去紀錄，自 2015 年 3 月動工以來，僅 20 個月即開始量產(chǎn)客戶產(chǎn)品。采用此晶圓廠 40 納米制程的通訊芯片，產(chǎn)品良率已逾 99% 。
執(zhí)行長顏博文表示，聯(lián)芯除可滿足中國大陸龐大的電子產(chǎn)品市場需求外，也有助全球 IC 客戶在晶圓制造上降低地緣風(fēng)險；而隨著聯(lián)芯量產(chǎn)，聯(lián)電將邁入下一個成長階段。
萬代
美國萬代半導(dǎo)體則于 2016 年 4 月 1 日宣布在重慶興建 12 英寸晶圓廠及封測廠，總投資金額逾 7 億美元，主要將用來生產(chǎn) MOSFET 產(chǎn)品。而 AOS 董事長張復(fù)興來自中國臺灣，當年是大陸首鋼華夏 8 寸廠的主導(dǎo)者之一，之后于 2000 年在美國硅谷創(chuàng)立了 AOS 公司，并于 2010 年在美國 NASDAQ 掛牌上市。
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中國
其中，中國晶圓代工業(yè)者中芯國際（SMIC）于 2016 年 11 月初宣布，將于深圳興建 12 英寸晶圓生產(chǎn)線（加入中國興建中 12 英寸晶圓廠之列），以主流成熟制程節(jié)點為產(chǎn)品方向，預(yù)計 2016 年底開工、2017 年底投產(chǎn)；該廠所需相關(guān)二手設(shè)備已經(jīng)采購?fù)瓿?，未來將依?jù)客戶需求擴充產(chǎn)能，目標是每月 4 萬片晶圓。
除此之外，10 月 13 日中芯國際（SMIC）宣布在上海開工建設(shè)新的 12 英寸晶圓廠，投資超過 675 億人民幣，明年底正式建成，這座工廠將使用 14nm 工藝，這是中芯國際最先進、同時也是國內(nèi)最先進的制造工藝。
10 月 17 日，中芯國際啟動了天津 8 英寸晶圓產(chǎn)能擴充項目；另外，中芯還于 6 月份買下了意大利 LFoundry 約 70%股權(quán)，該公司擁有一座 8 吋晶圓廠，月產(chǎn)能 4 萬片，這是中芯首度的海外購并案，主要系為布局汽車電子市場。
目前，中芯國際在國內(nèi)已經(jīng)擁有 3 條 12 英寸晶圓產(chǎn)線，其中北京 2 條、上海 1 條。不過，在國內(nèi)集成電路產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展下，晶圓需求量也快速攀升。
此外，華虹 NEC 與宏力半導(dǎo)體于 2013 年合并成為華虹宏力（HH Grace）后，擁有 3 座 8 英寸晶圓廠，合計月產(chǎn)能達 12.4 萬片 8 英寸晶圓，成為僅次于中芯國際（SMIC）之后，營收與產(chǎn)能規(guī)模皆為大陸第二大晶圓代工廠，亦為大陸產(chǎn)能規(guī)模最大的純 8 英寸晶圓代工廠，也因此，DIGITIMES Research 認為，華虹宏力亦可成為觀察大陸非 12 寸晶圓廠商技術(shù)與策略發(fā)展的重要指標。
國內(nèi) 8 英寸晶圓廠分布
在 2016 年，存儲器領(lǐng)域的重磅消息當屬長江存儲科技有限責(zé)任公司（下稱“長江存儲”）正式成立，武漢新芯將成為長江存儲的全資子公司，而紫光集團則是參與長江存儲的二期出資。長江存儲將以武漢新芯現(xiàn)有的 12 英寸先進集成電路技術(shù)研發(fā)與生產(chǎn)制造能力為基礎(chǔ)，繼續(xù)拓展武漢新芯目前的物聯(lián)網(wǎng)業(yè)務(wù)布局，并著力發(fā)展大規(guī)模存儲器。
士蘭集成作為國內(nèi)第一條民營 8 英寸線落戶杭州下沙，一方面填補了國內(nèi)民營企業(yè)該項產(chǎn)品的空白，形成月加工 8 英寸晶圓芯片 5 萬片的生產(chǎn)規(guī)模，另一方面產(chǎn)品最小加工線寬精細到 0.18μm 級別。企業(yè)從日本夏普、TowerJazz、美國 Intel 購買 8 英寸整線二手設(shè)備，數(shù)量近 900 余臺?；窗驳驴片攧t是圖像傳感器芯片項目，將填補我國自主產(chǎn)權(quán) CIS 的空白。
由于政策的長期扶植，我國半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的努力已開始發(fā)酵，國際半導(dǎo)體設(shè)備與材料產(chǎn)業(yè)協(xié)會估計，目前處于規(guī)劃或建設(shè)階段，預(yù)計將于 2017~2020 年間投產(chǎn)的 62 座前端半導(dǎo)體晶圓廠，其中 26 座設(shè)于大陸，占全球總數(shù) 42%。此外，中國國內(nèi)半導(dǎo)體市場的崛起給晶圓廠帶來驅(qū)動效應(yīng)，從上文中巨頭們的晶圓廠動作就能得知，誰也不愿放棄中國這塊肥沃的市場。不僅如此，我們也看到了國內(nèi)從上游晶圓芯片到整機的完整產(chǎn)業(yè)鏈布局，由此可見，中國半導(dǎo)體的未來不可謂不樂觀。
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