ARCHIVED - MRF6V3090NR1, MRF6V3090NR5, MRF6V3090NBR1, MRF6V3090NBR5 470-1215 MHz, 90 W, 50 V Broadband RF Power LDMOS Transistors

2023/04/25 作者：恩智浦

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ARCHIVED - MRF6V3090NR1, MRF6V3090NR5, MRF6V3090NBR1, MRF6V3090NBR5 470-1215 MHz, 90 W, 50 V Broadband RF Power LDMOS Transistors

Designed for commercial and industrial broadband applications with frequencies from 470 to 1215 MHz. Devices are suitable for use in broadcast applications.

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。