MHV5IC1810NR2 1805-1990 MHz, 5 W Avg., 28 V GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

2023/04/25 作者：恩智浦

135

加入交流群

掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點資訊討論

MHV5IC1810NR2 1805-1990 MHz, 5 W Avg., 28 V GSM/GSM EDGE RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifier

The MHV5IC1810N wideband integrated circuit is designed with on-chip matching that makes it usable from 1805 to 1990 MHz. This multi -stage structure is rated for 24 to 32 Volt operation and covers

原創(chuàng)聲明：本文為恩智浦原創(chuàng)內(nèi)容，未經(jīng)書面授權(quán)，不得以任何方式加以使用。轉(zhuǎn)載合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。