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MRF6V10250HSR3 1090 MHz, 250 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF6V10250HSR3 1090 MHz, 250 W, 50 V Pulsed Lateral N-Channel RF Power MOSFET

RF Power transistor designed for applications operating at frequencies between 1030 and 1090 MHz, 1% to 20% duty cycle. This device is suitable for use in pulsed applications.

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。