MRF6S18100NR1, MRF6S18100NBR1 1805-1990 MHz, 100 W, 28 V, GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF6S18100NR1, MRF6S18100NBR1 1805-1990 MHz, 100 W, 28 V, GSM/GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for GSM and GSM EDGE base station applications with frequencies from 1800 to 2000 MHz. Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。