MRFE6S9201HR3, MRFE6S9201HSR3 880 MHz, 40 W Avg., 28 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRFE6S9201HR3, MRFE6S9201HSR3 880 MHz, 40 W Avg., 28 V Single N-CDMA Lateral N-Channel RF Power MOSFETs

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。