MRF6S9125NR1, MRF6S9125NBR1 865-960 MHz, 27 W Avg., 28 V Single N-CDMA, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs - Archived

2023/04/25 作者：恩智浦

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MRF6S9125NR1, MRF6S9125NBR1 865-960 MHz, 27 W Avg., 28 V Single N-CDMA, GSM EDGE Lateral N-Channel RF Power MOSFETs - Archived

Designed for broadband commercial and industrial applications with frequencies up to 1000 MHz. The high gain and broadband performance of these devices make them ideal for large-signal, common-source

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恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。