MW4IC915MB/GMB wideband integrated circuit is designed for GSM and GSM EDGE base station applications. It uses Our newest High Voltage (26 to 28 Volts) LDMOS IC technology and integrates a multi
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MW4IC915MBR1, MW4IC915GMBR1 860-960 MHz, 15 W, 26 V GSM/GSM EDGE, N-CDMA RF LDMOS Wideband Integrated Power Amplifiers - Archived
MW4IC915MB/GMB wideband integrated circuit is designed for GSM and GSM EDGE base station applications. It uses Our newest High Voltage (26 to 28 Volts) LDMOS IC technology and integrates a multi
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
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