智能溫濕度計

• 碳化硅襯底的環(huán)吸方案相比其他吸附方案，對于測量碳化硅襯底 BOW/WARP 的影響

  在半導體領域，隨著碳化硅（SiC）材料因其卓越的電學性能、高熱導率等優(yōu)勢逐漸嶄露頭角，成為新一代功率器件、射頻器件等制造的熱門襯底選擇，對碳化硅襯底質量的精準把控愈發(fā)關鍵。其中，碳化硅襯底的 BOW（彎曲度）和 WARP（翹曲度）測量精度直接影響后續(xù)芯片加工工藝的良率與性能，而不同的吸附方案在這一測量過程中扮演著舉足輕重的角色，環(huán)吸方案更是以其獨特性與其他吸附方案形成鮮明對比，對測量結果產生著顯著

  萬智光學

  701

  01/13 14:20

  碳化硅 晶圓

  

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