DDR5

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DDR5是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。目前還沒有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺，AMD預(yù)計會在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內(nèi)存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒有明確過DDR5內(nèi)存支持，官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會上DDR5，而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品，消費(fèi)級的估計還要再等等。

DDR5是一種計算機(jī)內(nèi)存規(guī)格。與DDR4內(nèi)存相比，DDR5標(biāo)準(zhǔn)性能更強(qiáng)，功耗更低。其它變化還有，電壓從1.2V降低到1.1V，同時每通道32/40位（ECC）、總線效率提高、增加預(yù)取的Bank Group數(shù)量以改善性能等。目前還沒有正式支持DDR5內(nèi)存的平臺，AMD預(yù)計會在2021年的Zen4處理器上更換插槽，支持DDR5內(nèi)存，而Intel這邊14nm及10nm處理器都沒有明確過DDR5內(nèi)存支持，官方路線圖顯示2021年的7nm工藝Sapphire Rapids處理器才會上DDR5，而且是首發(fā)服務(wù)器產(chǎn)品，消費(fèi)級的估計還要再等等。收起

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  • 內(nèi)存拆解報告：光威龍武 · 奕 32GB 6000MHz DDR5內(nèi)存
    近年來，新平臺已經(jīng)由DDR4內(nèi)存升級到DDR5內(nèi)存，簡單來說，DDR5內(nèi)存具備更低的功耗，更高的頻率，以及更高的帶寬，能夠更好的滿足包括AI在內(nèi)的高性能計算需求，從而成為市場的主流。并且DDR5內(nèi)存現(xiàn)已推出單條64GB規(guī)格，對大內(nèi)存容量需求更加友好。
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  • 科摩思天河玄女DDR5 RGB內(nèi)存高度適配AMD平臺
    國產(chǎn)存儲品牌KEYMOS科摩思發(fā)布天河玄女DDR5 RGB燈條，提供6000MT/s CL28超低時序，此內(nèi)存產(chǎn)品高度適配AMD平臺，并支持AMD EXPO及Intel XMP 3.0雙超頻協(xié)議，助力游戲玩家、內(nèi)容創(chuàng)作者及專業(yè)用戶突破性能瓶頸。 KEYMOS科摩思天河玄女DDR5內(nèi)存條產(chǎn)品圖 特挑海力士A-die顆粒 天河玄女DDR5 RGB內(nèi)存條【特挑海力士A-die顆粒，其6000MT/s C
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  • 科摩思DDR5內(nèi)存條榮獲智臻科技年度黑馬稱號
    2024年下半年，DIY硬件市場迎來了兩大處理器巨頭的巔峰對決，AMD銳龍9000和Intel酷睿Ultra系列處理器的發(fā)布，其內(nèi)存頻率也得到進(jìn)一步提升，DDR5內(nèi)存成為DIY玩家的首選。 KEYMOS科摩思承影機(jī)甲DDR5產(chǎn)品圖 針對大眾游戲玩家打造的存儲模組產(chǎn)品，科摩思去年9月發(fā)布DDR4和DDR5規(guī)格的承影機(jī)甲馬甲條，其針對AMD平臺推出6000MT/s超低時序的CL28產(chǎn)品，同時也為Int
  • 科摩思繼年度黑馬再獲大陸內(nèi)存市場杰出新銳品牌
    科摩思以“南天門計劃問天戰(zhàn)甲”為設(shè)計理念推出面向主流用戶的承影機(jī)甲馬甲條系列和針對高端游戲玩家的天河玄女和赤霄白帝RGB燈條系列產(chǎn)品。其承影機(jī)甲DDR5內(nèi)存條憑借出色的性能表現(xiàn)成為市場爆款產(chǎn)品，該產(chǎn)品被太平洋智臻科技評為“年度內(nèi)存黑馬”，而科摩思更是被博板堂評為“大陸內(nèi)存市場杰出新銳品牌”。 KEYMOS科摩思大陸內(nèi)存產(chǎn)品市場杰出新銳品牌獎杯圖 作為超盈智能科技旗下品牌，科摩思充分依托母公司14年
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  • 中韓存儲技術(shù)差距縮至3年
    長鑫存儲科技（CXMT）已采用 16 納米技術(shù)量產(chǎn) DDR5 DRAM。據(jù)業(yè)界1月26日報道，半導(dǎo)體市場研究公司TechInsights近日報道稱，“中國分銷市場發(fā)布的32GB DDR5 DRAM模組由長鑫存儲的16Gb（千兆位）DDR5 DRAM組成”，而“長鑫存儲最新的16?采用了‘G4’ DRAM 技術(shù)”。?TechInsights 獲取并分析了上個月上市的中國 DDR5 DRAM模組。DDR5 DRAM 的容量更大，傳輸速度大約是其前身 DDR4 的兩倍。
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  • 世界唯一可超頻 OC RDIMM，單條 256GB 6000MHz 超大容量！ !
    全何科技股份有限公司 (v-color Technology Inc.)，作為全球高性能內(nèi)存解決方案的領(lǐng)導(dǎo)者，隆重宣布推出全球首款 DDR5 OC RDIMM 可超頻的大容量內(nèi)存模塊。這些革命性 RDIMM 提供單模塊 128GB 和 256GB 的超大容量，支持高達(dá) 512GB（4x128GB）、1024GB（8x128GB 或 4x256GB） 以及業(yè)界首創(chuàng)的 2048GB（8x256GB）
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  • 存儲廠商沒有笑出雙十一
    國內(nèi)市場DRAM現(xiàn)貨價格在整個11月份持續(xù)走低，尤其是DDR4受到的沖擊尤為嚴(yán)重。相比之下，NAND閃存價格顯示出穩(wěn)定跡象。業(yè)內(nèi)估計，雙十一期間 DRAM 模組整體銷量與 2023 年同期相比下降約 20%。單位銷量下降 16%，平均售價下降約 9%。在產(chǎn)品價格貢獻(xiàn)方面，2024年雙十一期間，SSD的銷售表現(xiàn)已超越DRAM模組。今年雙十一，長江存儲旗下的致態(tài)品牌表現(xiàn)亮眼，在京東實(shí)現(xiàn)了SSD品類交易總額（GMV）和銷量的雙料第一，超過了三星。
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  • AI推理內(nèi)存革命：突破瓶頸，CPU性能飛躍
    AI推理、高性能計算和實(shí)時分析等行業(yè)，通常需要運(yùn)行大量的工作負(fù)載，內(nèi)存帶寬如果跟不上處理器的提升速度，往往可能會導(dǎo)致計算瓶頸，影響工作負(fù)載執(zhí)行的效率和效果，這就需要對內(nèi)存技術(shù)進(jìn)行革新。
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    2024/12/05
  • 超頻好手 AKM 使用 v-color XFinity打破 DDR5 記憶體世界紀(jì)錄
    全何科技（v-color Technology Inc.）宣佈創(chuàng)造DDR5記憶體速度的新世界紀(jì)錄，其 DDR5 XFinity 記憶體模組達(dá)到了12,264MHz。此次創(chuàng)舉由超頻專家 AKM 完成，所使用的主機(jī)板為 ASRock Z890 Taichi OCF 主板搭載Intel Core Ultra 9 Arrow Lake 處理器。該紀(jì)錄已在 HWBOT 平臺上得到確認(rèn)，進(jìn)一步鞏固了 v-co
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  • 存儲巨頭縮減生產(chǎn)比重，DDR4或?qū)⑼顺鰵v史舞臺
    作為電腦系統(tǒng)的重要硬件，內(nèi)存是計算機(jī)中用于暫時存儲數(shù)據(jù)和指令的部件，它直接與CPU相連，是CPU進(jìn)行數(shù)據(jù)交換的橋梁。內(nèi)存的速度和容量對計算機(jī)的整體性能有著直接的影響。作為計算機(jī)系統(tǒng)中至關(guān)重要的組成部分，內(nèi)存承擔(dān)著數(shù)據(jù)存儲與快速讀取的重任。從最早的DRAM到如今的DDR4乃至即將面世的DDR5，內(nèi)存技術(shù)不斷演進(jìn)，每一次的技術(shù)革新都伴隨著性能的提升和應(yīng)用范圍的拓寬。
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  • 買方優(yōu)先去庫存，2024年第四季度存儲器價格漲幅放緩
    2024年第三季之前，消費(fèi)型產(chǎn)品終端需求依然疲軟，由AI 服務(wù)器支撐起存儲器主要需求，加上HBM排擠現(xiàn)有DRAM產(chǎn)品產(chǎn)能，供應(yīng)商對合約價格漲幅保持一定的堅(jiān)持。然而，近期雖有服務(wù)器OEM維持拉貨動能，但智能手機(jī)品牌仍在觀望，TrendForce集邦咨詢預(yù)估第四季存儲器均價漲幅將大幅縮減，其中，一般型DRAM (Conventional DRAM)漲幅為0%至5%之間，但由于HBM比重逐漸提高，DRA
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  • 科摩思DDR5內(nèi)存新突破?豎立內(nèi)存時序新標(biāo)桿！
    深圳超盈智能科技有限公司（以下簡稱“超盈”）自2011年成立以來，13年的時間里一直專注于存儲芯片領(lǐng)域。憑借敏銳的市場洞察和不懈的技術(shù)追求，于2013年成功研發(fā)出行業(yè)首款嵌入式測試系統(tǒng)并投入使用，正式邁入存儲顆粒測試領(lǐng)域，產(chǎn)品廣泛應(yīng)用于金融、教育、智能手機(jī)、智能穿戴、智能監(jiān)控、平板電腦、智能車載、機(jī)器人、無人機(jī)及工業(yè)類電子等領(lǐng)域。 匠心筑夢，品質(zhì)為先。超盈為打造高品質(zhì)、強(qiáng)穩(wěn)定性的存儲解決方案，以k
    科摩思DDR5內(nèi)存新突破?豎立內(nèi)存時序新標(biāo)桿！
  • Rambus推出DDR5客戶端時鐘驅(qū)動器，將業(yè)界領(lǐng)先的內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品擴(kuò)展到高性能 PC領(lǐng)域
    作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布推出適用于下一代高性能臺式電腦和筆記本電腦的DDR5客戶端時鐘驅(qū)動器（CKD）。Rambus DDR5 CKD和SPD Hub是全新客戶端內(nèi)存接口芯片產(chǎn)品的一部分，將最新的服務(wù)器技術(shù)進(jìn)步帶到了客戶端市場。Rambus DDR5 CKD充分利用公司30多年的內(nèi)存系統(tǒng)專業(yè)知識，使新的客戶端 DIMM（CSODIMM 和 CUDIMM）能夠以高達(dá)7200 MT/s的先進(jìn)數(shù)據(jù)傳輸速率運(yùn)行，并為下一代 PC帶來空前的性能。
  • 研華全新搭載Intel 12th Atom 系列嵌入式單板隆重上市
    研華隆重推出兩款由Intel Atom x7000E系列、N系列和Core i3 N系列處理器驅(qū)動的新型單板電腦MIO-5154（3.5英寸規(guī)范）和MIO-2364（Pico-ITX規(guī)范）。這些新處理器（代號：Alder Lake-N）相較于先前的版本性能提升明顯，包括1.4倍單線程性能提升、1.2倍多線程性能提升、2倍圖形性能提升，以及驚人的3.5倍AI推理能力提升。該平臺提供豐富的配置選項(xiàng)，從
    研華全新搭載Intel 12th Atom 系列嵌入式單板隆重上市
  • AI 2.0時代，服務(wù)器DDR5底層架構(gòu)迎來變革
    DDR5 內(nèi)存模塊是第一個在內(nèi)存模塊上集成PMIC的主要內(nèi)存類型，未來，隨著對更高性能和電源效率的需求不斷增長，可能會定義新型內(nèi)存模塊。而且，這些模塊很有可能繼續(xù)在模塊上集成 PMIC，以進(jìn)一步優(yōu)化電源管理并提高整體系統(tǒng)性能。
  • 全新DDR5內(nèi)存架構(gòu)滿足AI時代存儲需求
    尤其隨著AI技術(shù)的發(fā)展，對于應(yīng)用于數(shù)據(jù)中心中的DDR存儲器提出了新的要求。Rambus產(chǎn)品營銷副總裁John Eble表示：“目前，隨著基于大語言模型（LLM）生成式AI技術(shù)的不斷發(fā)展，它的功能也變得越來越強(qiáng)大，需要實(shí)現(xiàn)多模態(tài)輸入和輸出等功能，如給AI提供一段文字作為指令，AI產(chǎn)出的內(nèi)容可能是一張圖片；或者所輸入的指令是包含了圖片和文字的組合，而AI能夠提供的是一張有改進(jìn)的圖片；也有可能輸入的時是多張圖片和一段文字，而AI能夠產(chǎn)出一段視頻，所以當(dāng)這種多模態(tài)的輸入輸出功能被實(shí)現(xiàn)以后，生成式AI將有著無限的可能性?！?/div>
    1815
    2024/07/02
    全新DDR5內(nèi)存架構(gòu)滿足AI時代存儲需求
  • 服務(wù)器支撐下半年需求，預(yù)估DRAM價格第三季漲幅達(dá)8-13%
    根據(jù)全球市場研究機(jī)構(gòu)TrendForce集邦咨詢最新調(diào)查顯示，由于通用型服務(wù)器(general server)需求復(fù)蘇，加上DRAM供應(yīng)商HBM生產(chǎn)比重進(jìn)一步拉高，使供應(yīng)商將延續(xù)漲價態(tài)度，第三季DRAM均價將持續(xù)上揚(yáng)。DRAM價格漲幅達(dá)8~13%，其中Conventional DRAM漲幅為5-10%，較第二季漲幅略有收縮。 TrendForce集邦咨詢指出，第二季買方補(bǔ)庫存意愿漸趨保守，供應(yīng)商及
    服務(wù)器支撐下半年需求，預(yù)估DRAM價格第三季漲幅達(dá)8-13%
  • Rambus 通過 DDR5 服務(wù)器 PMIC 擴(kuò)展適用于高級數(shù)據(jù)中心內(nèi)存模塊的芯片組
    作為業(yè)界領(lǐng)先的芯片和半導(dǎo)體IP供應(yīng)商，致力于使數(shù)據(jù)傳輸更快更安全，Rambus Inc.（納斯達(dá)克股票代碼：RMBS）今日宣布推出最先進(jìn)的全新DDR5 服務(wù)器電源管理IC（PMIC）系列，包含適用于高性能應(yīng)用的業(yè)界領(lǐng)先超高電流電源器件。憑借這一全新服務(wù)器 PMIC 系列，Rambus為模塊制造商提供了完整的DDR5 RDIMM 內(nèi)存接口芯片組，支持廣泛的數(shù)據(jù)中心用例。 Rambus 首席運(yùn)營官范賢
    Rambus 通過 DDR5 服務(wù)器 PMIC 擴(kuò)展適用于高級數(shù)據(jù)中心內(nèi)存模塊的芯片組
  • AI服務(wù)器中的高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5芯片有何不同？
    某服務(wù)器廠商小姐姐來信，想了解高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5芯片在速率、帶寬和芯片密度等方面的具體區(qū)別。老虎說芯馬上安排：
    AI服務(wù)器中的高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5芯片有何不同？
  • AI服務(wù)器中的高帶寬內(nèi)存（HBM）和DDR5芯片有什么區(qū)別
    高帶寬內(nèi)存（HBM）：由JEDEC標(biāo)準(zhǔn)組織制定，專為高性能計算和圖形處理設(shè)計。主要特點(diǎn)是通過3D堆疊技術(shù)將多層DRAM芯片堆疊在一起，并使用硅通孔（TSV）進(jìn)行垂直互聯(lián)，以實(shí)現(xiàn)高帶寬和低功耗。

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