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碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。

碳化硅,是一種無機(jī)物,化學(xué)式為SiC,是用石英砂、石油焦(或煤焦)、木屑(生產(chǎn)綠色碳化硅時(shí)需要加食鹽)等原料通過電阻爐高溫冶煉而成。碳化硅在大自然也存在罕見的礦物,莫桑石。在C、N、B等非氧化物高技術(shù)耐火原料中,碳化硅為應(yīng)用最廣泛、最經(jīng)濟(jì)的一種,可以稱為金鋼砂或耐火砂。 中國工業(yè)生產(chǎn)的碳化硅分為黑色碳化硅和綠色碳化硅兩種,均為六方晶體,比重為3.20~3.25,顯微硬度為2840~3320kg/mm2。收起

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  • ROHM推出高功率密度的新型SiC模塊,將實(shí)現(xiàn)車載充電器小型化!
    全球知名半導(dǎo)體制造商ROHM(總部位于日本京都市)今日宣布,推出4in1及6in1結(jié)構(gòu)的SiC塑封型模塊“HSDIP20”。該系列產(chǎn)品非常適用于xEV(電動(dòng)汽車)車載充電器(以下簡稱“OBC”)的PFC*1和LLC*2轉(zhuǎn)換器等應(yīng)用。HSDIP20的產(chǎn)品陣容包括750V耐壓的6款機(jī)型(BSTxxx1P4K01)和1200V耐壓的7款機(jī)型(BSTxxx2P4K01)。通過將各種大功率應(yīng)用的電路中所需的
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  • 碳化硅何以英飛凌?—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相
    全社會(huì)都在積極推動(dòng)低碳化轉(zhuǎn)型,而低碳化的背后其實(shí)是電氣化。在新型電氣能源架構(gòu)中,相比于從前,一次能源到終端用戶的能源轉(zhuǎn)換次數(shù)增多。雖然可再生能源是免費(fèi)的,但是這種多層級(jí)的能源轉(zhuǎn)換,每一步都會(huì)帶來一定的能耗損失,因此追求更高效的能源轉(zhuǎn)化效率至關(guān)重要。
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    04/24 10:05
    碳化硅何以英飛凌?—— 溝槽柵技術(shù)可靠性真相
  • 車載測試技術(shù)解析:聚焦高帶寬、多通道同步采集與協(xié)議分析
    當(dāng)汽車從機(jī)械代步工具進(jìn)化為移動(dòng)智能空間,一場關(guān)于“感知、思考、行動(dòng)”的電子革命正在悄然發(fā)生。在智能網(wǎng)聯(lián)汽車和自動(dòng)駕駛技術(shù)快速發(fā)展的背景下,由車載總線、智能傳感器和電驅(qū)系統(tǒng)構(gòu)成的復(fù)雜車載電子系統(tǒng)正在將汽車電子測試由單一信號(hào)捕捉轉(zhuǎn)變?yōu)橄到y(tǒng)級(jí)綜合分析,這無疑對汽車的測試解決方案提出了更高要求。如何在高速信號(hào)捕捉、多通道同步采集以及復(fù)雜協(xié)議解碼之間取得平衡,成為汽車行業(yè)的技術(shù)人員面臨的共同挑戰(zhàn)。本文將從測
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  • AMEYA360:ROHM推出高功率密度的新型SiC模塊,將實(shí)現(xiàn)車載充電器小型化!
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    04/24 08:33
  • 6家SiC企業(yè)競相布局,將搶占哪些風(fēng)口?
    近期,碳化硅功率半導(dǎo)體領(lǐng)域進(jìn)展不斷,三菱電機(jī)、華潤微電子、方正微電子、至信微電子、派恩杰半導(dǎo)體、納微半導(dǎo)體紛紛推出創(chuàng)新產(chǎn)品。這些新品憑借高效、節(jié)能、可靠的性能優(yōu)勢,正加速推動(dòng)各應(yīng)用領(lǐng)域的技術(shù)升級(jí)與能效提升。
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  • 2年供應(yīng)數(shù)十萬輛車!芯聯(lián)集成SiC做對了什么?
    近日,芯聯(lián)動(dòng)力董事長、芯聯(lián)資本創(chuàng)始合伙人袁鋒在“第19屆中國投資年會(huì)·年度峰會(huì)”上發(fā)表了《新時(shí)代的產(chǎn)業(yè)投資:從Capital到Connection”》的主題演講,在演講中指出了目前國產(chǎn)芯片陷入的“車規(guī)級(jí)困局”:
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    04/22 10:55
    SiC
    2年供應(yīng)數(shù)十萬輛車!芯聯(lián)集成SiC做對了什么?
  • 3家SiC企業(yè)透露進(jìn)展:芯片工廠投產(chǎn)、8英寸出貨量增加
    近日,“行家說三代半”發(fā)現(xiàn),士蘭微、揚(yáng)杰科技、晶盛機(jī)電皆公布了2024年財(cái)務(wù)報(bào)告,在碳化硅業(yè)務(wù)方面透露了諸多信息:4月19日,士蘭微公布了2024年年度報(bào)告,其中透露:報(bào)告期內(nèi),士蘭微實(shí)現(xiàn)營業(yè)總收入112.21億元,同比增長20.14%;歸母凈利潤2.2億元,比 2023 年增加2.56億元。
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  • 近20家SiC企業(yè)齊聚,誰將引領(lǐng)行業(yè)新風(fēng)向?
    4月15日至17日,慕尼黑上海電子展盛大舉行。本屆展會(huì)規(guī)??涨埃藖碜匀虻?800家展商參展。在本屆展會(huì)中,碳化硅和氮化鎵技術(shù)成為亮點(diǎn),多家廠商集中展示了其在高效能、新能源領(lǐng)域的突破性產(chǎn)品與技術(shù),包括SiC功率模塊、GaN快充芯片以及相關(guān)應(yīng)用解決方案。這些技術(shù)憑借其高效率、低損耗的特性,正在推動(dòng)電動(dòng)汽車、工業(yè)電源等行業(yè)的快速發(fā)展。
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  • 高性能三通道雙向電源:實(shí)現(xiàn)更多測試與更高吞吐量
    隨著科技的飛速發(fā)展,測試工程師們常常面臨這樣的挑戰(zhàn):生產(chǎn)需求超出了現(xiàn)有測試系統(tǒng)的能力,或者需要同時(shí)測試多個(gè)參數(shù)。在這種情況下,傳統(tǒng)的解決方案通常是構(gòu)建更多的測試系統(tǒng)并配備更多的測試設(shè)備,尤其是在需要多臺(tái)直流電源的大功率應(yīng)用中。然而,這種方法不僅成本高昂,還增加了系統(tǒng)的復(fù)雜性和維護(hù)難度。 典型應(yīng)用場景包括: 測試帶有多個(gè)逆變器和電池備份的太陽能電池組,確保其在復(fù)雜工況下的性能和可靠性; 同時(shí)為電動(dòng)汽
    高性能三通道雙向電源:實(shí)現(xiàn)更多測試與更高吞吐量
  • 這家企業(yè)再次出售SiC業(yè)務(wù)?營收近10億
    近日,半導(dǎo)體行業(yè)傳出一個(gè)重大股權(quán)出售案:SK集團(tuán)正在出售旗下SK Siltron經(jīng)營權(quán),交易估值高達(dá)248.5億人民幣。
    這家企業(yè)再次出售SiC業(yè)務(wù)?營收近10億
  • 碳化硅大廠對全球8座晶圓廠進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)/升級(jí)整合
    4月10日,意法半導(dǎo)體公布了一系列旨在重塑制造布局和調(diào)整全球成本基礎(chǔ)的全公司計(jì)劃,涵蓋了在先進(jìn)制造技術(shù)領(lǐng)域的投入、全球生產(chǎn)基地的優(yōu)化整合等多方面內(nèi)容。碳化硅市場風(fēng)云變化,除了意法半導(dǎo)體外,安森美作為行業(yè)內(nèi)的重要參與者,也面臨諸多挑戰(zhàn),2024年第四季度的營收數(shù)據(jù)已凸顯其面臨的困境,該公司隨即展開了一系列措施變革。
    碳化硅大廠對全球8座晶圓廠進(jìn)行擴(kuò)產(chǎn)/升級(jí)整合
  • 第11家!又一國產(chǎn)SiC企業(yè)實(shí)現(xiàn)12吋突破
    4月8日,江蘇天晶智能裝備有限公司在12英寸碳化硅(SiC)切割設(shè)備領(lǐng)域?qū)崿F(xiàn)重大技術(shù)突破,成功推出TJ320型超高速多線切割機(jī)。技術(shù)參數(shù)方面,該設(shè)備搭載了自主研發(fā)的超高速伺服張力控制技術(shù)和金剛石線循環(huán)切割系統(tǒng),在線速度(3000米/分鐘)、切割效率(提升300%)、張力精準(zhǔn)控制等核心參數(shù)達(dá)到全球領(lǐng)先水平;并且支持4-12英寸晶圓兼容,單臺(tái)年產(chǎn)能達(dá)20萬片,可滿足500輛新能源汽車的碳化硅電驅(qū)需求。
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    04/11 09:55
    SiC
    第11家!又一國產(chǎn)SiC企業(yè)實(shí)現(xiàn)12吋突破
  • 合計(jì)近36億元!2座8吋SiC廠公布新進(jìn)展
    近期,2個(gè)8英寸SiC晶圓廠傳最新進(jìn)展:●?東部高科(DB Hitech):已在今年2月實(shí)現(xiàn)8英寸SiC晶圓的生產(chǎn),將在2025歐洲PCIM上展出。●?Vishay:計(jì)劃投資2.5億英鎊(約23.5億人民幣),加速將Newport晶圓廠改造為8英寸車規(guī)級(jí)碳化硅和氮化鎵生產(chǎn)基地。
    合計(jì)近36億元!2座8吋SiC廠公布新進(jìn)展
  • 高頻霍爾電流傳感技術(shù)領(lǐng)航者 2MHz帶寬芯片助力SiC光伏逆變器跨入新時(shí)代
    全球光伏產(chǎn)業(yè)正經(jīng)歷從"效率優(yōu)先"向"系統(tǒng)級(jí)性能優(yōu)化"的深刻變革。隨著碳化硅(SiC)功率器件在光伏逆變器中的滲透率突破20%(據(jù)Yole預(yù)測,2025年將達(dá)35%),行業(yè)對電流檢測技術(shù)提出了前所未有的挑戰(zhàn)。作為國內(nèi)實(shí)現(xiàn)霍爾傳感芯片自主開發(fā)的電流傳感器方案商,我們即將推出的2MHz帶寬電流傳感芯片,正在重新定義高頻電力電子系統(tǒng)的監(jiān)測標(biāo)準(zhǔn)。
    高頻霍爾電流傳感技術(shù)領(lǐng)航者 2MHz帶寬芯片助力SiC光伏逆變器跨入新時(shí)代
  • 意法半導(dǎo)體:推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略,引領(lǐng)行業(yè)規(guī)?;l(fā)展
    插播:英諾賽科、能華半導(dǎo)體、致能科技、京東方華燦光電、鎵奧科技等已確認(rèn)參編《2024-2025氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》,參編咨詢請聯(lián)系許若冰(hangjiashuo999)。
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    04/03 10:55
    意法半導(dǎo)體:推進(jìn)8英寸SiC戰(zhàn)略,引領(lǐng)行業(yè)規(guī)?;l(fā)展
  • 長安深藍(lán):碳化硅在增程汽車中大有可為
    插播:英諾賽科、能華半導(dǎo)體、致能科技、京東方華燦光電、鎵奧科技等已確認(rèn)參編《2024-2025氮化鎵(GaN)產(chǎn)業(yè)調(diào)研白皮書》,演講或攤位咨詢請聯(lián)系許若冰(hangjiashuo999)。
    長安深藍(lán):碳化硅在增程汽車中大有可為
  • 新增2起SiC合作,聚焦汽車、電源應(yīng)用
    近日,碳化硅功率器件領(lǐng)域再迎兩起標(biāo)志性合作,進(jìn)一步凸顯該技術(shù)在全球范圍內(nèi)的產(chǎn)業(yè)化加速趨勢:3月28日,金威源在官微宣布,他們已經(jīng)與杰平方半導(dǎo)體(上海)有限公司正式簽訂碳化硅戰(zhàn)略合作協(xié)議,雙方企業(yè)負(fù)責(zé)人及相關(guān)人員出席了簽約儀式。
    新增2起SiC合作,聚焦汽車、電源應(yīng)用
  • 英飛凌高管專訪:詳解GaN/SiC/AI/機(jī)器人布局與中國本土化發(fā)展!
    今年3月中旬,英飛凌在深圳召開了?“2025?英飛凌消費(fèi)、計(jì)算與通訊創(chuàng)新大會(huì)”。期間,英飛凌科技全球高級(jí)副總裁及大中華區(qū)總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)負(fù)責(zé)人潘大偉,英飛凌科技副總裁、英飛凌科技消費(fèi)、計(jì)算與通訊業(yè)務(wù)大中華區(qū)市場營銷負(fù)責(zé)人劉偉接受了包括芯智訊的專訪,介紹了英飛凌在氮化鎵、碳化硅、AI、機(jī)器人等領(lǐng)域的布局,以及英飛凌的在中國的本土化發(fā)展。
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    03/31 10:50
    英飛凌高管專訪:詳解GaN/SiC/AI/機(jī)器人布局與中國本土化發(fā)展!
  • 超千萬!3家SiC企業(yè)完成融資
    第三代半導(dǎo)體設(shè)備領(lǐng)域融資熱潮持續(xù)升溫,多家企業(yè)獲資本加碼。近期,國內(nèi)SiC相關(guān)設(shè)備企業(yè)融資捷報(bào)頻傳:▲ 優(yōu)睿譜:獲合肥產(chǎn)投獨(dú)家投資,前道量測設(shè)備再獲助力?!?科瑞爾:獲浙江創(chuàng)投數(shù)千萬元A+輪融資,助力其核心設(shè)備研發(fā)與運(yùn)營。
    超千萬!3家SiC企業(yè)完成融資
  • SiC市場的下一個(gè)爆點(diǎn):共源共柵(cascode)結(jié)構(gòu)詳解
    安森美 (onsemi)cascode FET (碳化硅共源共柵場效應(yīng)晶體管)在硬開關(guān)和軟開關(guān)應(yīng)用中有諸多優(yōu)勢,SiC JFET cascode應(yīng)用指南講解了共源共柵(cascode)結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、獨(dú)特功能和設(shè)計(jì)支持。本文為第一篇,將重點(diǎn)介紹Cascode結(jié)構(gòu)。

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