The AFT27S010N 1.26 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 728 to 3600 MHz.
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AFT27S010NT1 728-3600 MHz, 1.26 W Avg., 28 V Airfast<sup>?</sup> RF Power LDMOS Transistor Data Sheet
The AFT27S010N 1.26 W RF power LDMOS transistor is designed for cellular base station applications covering the frequency range of 728 to 3600 MHz.
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。
恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年,其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部,總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案,實(shí)現(xiàn)智慧生活,安全連結(jié)。收起
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