ARCHIVED - A2T18S160W31S, A2T18S160W31GS 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V Airfast<sup>?</sup> RF Power LDMOS Transistors Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

304

加入交流群

掃碼加入
獲取工程師必備禮包
參與熱點(diǎn)資訊討論

ARCHIVED - A2T18S160W31S, A2T18S160W31GS 1805-1995 MHz, 32 W Avg., 28 V Airfast<sup>?</sup> RF Power LDMOS Transistors Data Sheet

A2T18S160W31 32 W RF power LDMOS transistors for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth in the 1805-1995 MHz bands

原創(chuàng)聲明：本文為恩智浦原創(chuàng)內(nèi)容，未經(jīng)書面授權(quán)，不得以任何方式加以使用。轉(zhuǎn)載合作

人工客服
（售后/吐槽/合作/交友）

恩智浦

恩智浦半導(dǎo)體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導(dǎo)體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦2010年在美國(guó)納斯達(dá)克上市。恩智浦半導(dǎo)體致力于打造全球化解決方案，實(shí)現(xiàn)智慧生活，安全連結(jié)。