A2T18H100-25SR3 1805-1995 MHz, 18 W Avg., 28 V Airfast? RF Power LDMOS Transistor Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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A2T18H100-25SR3 1805-1995 MHz, 18 W Avg., 28 V Airfast? RF Power LDMOS Transistor Data Sheet

A2T18H100-25S 18 W asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistor designed for cellular base station applications covering frequencies from 1805 to 1995 MHz.

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現智慧生活，安全連結。收起

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