ARCHIVED - AFT21H350W03SR6 AFT21H350W04GSR6 2110-2170 MHz, 63 W Avg., 28 V Airfast<sup>?</sup> RF Power LDMOS Transistors - Data Sheet

2023/04/25 作者：恩智浦

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AFT21H350W03SR6 and AFT21H350W04GSR6 are 63 watt asymmetrical Doherty RF power LDMOS transistors designed for cellular base station applications requiring very wide instantaneous bandwidth capability

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恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。

恩智浦半導體創(chuàng)立于2006年，其前身為荷蘭飛利浦公司于1953年成立的半導體事業(yè)部，總部位于荷蘭埃因霍溫。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦2010年在美國納斯達克上市。恩智浦半導體致力于打造全球化解決方案，實現(xiàn)智慧生活，安全連結。收起

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