IGBT

• 芯聯(lián)集成2025年第一季度繼續(xù)快速增長 營收同比超28%增長

  百尺竿頭更進(jìn)一步，中流擊水正當(dāng)其時(shí)。 4月28日晚，芯聯(lián)集成發(fā)布2024年全年及2025年第一季度業(yè)績公告。2024年，公司各季度營收節(jié)節(jié)攀升，以"新能源+智能化"雙引擎驅(qū)動業(yè)務(wù)發(fā)展，在行業(yè)波動中交出逆勢增長答卷： 實(shí)現(xiàn)營收65.09億，其中主營收入62.76億元，同比增長27.8% 歸母凈利潤大幅減虧超50%，毛利率首次轉(zhuǎn)正達(dá)1.03% EBITDA（息稅折舊攤銷前利潤）21.45億元，同比增長

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  04/29 07:17

  晶圓代工 IGBT

  
• 黑龍江IGBT項(xiàng)目即將投產(chǎn)，年產(chǎn)能500萬個(gè)

  4月21日，“大慶政事”報(bào)道了黑龍江功率模塊項(xiàng)目的建設(shè)進(jìn)展，該項(xiàng)目預(yù)計(jì)6月實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，年產(chǎn)能將達(dá)500萬個(gè)。該報(bào)道提到，匯芯功率半導(dǎo)體模塊生產(chǎn)制造項(xiàng)目是由廣東匯芯半導(dǎo)體有限公司全資子公司——黑龍江匯芯半導(dǎo)體有限公司投資建設(shè)，該項(xiàng)目力爭5月底達(dá)到試生產(chǎn)條件，預(yù)計(jì)6月份實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，屆時(shí)，全球首條智能功率模塊AI示范封測線將投產(chǎn)。

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/25 14:07

  IGBT 功率模塊

  
• 南京IGBT/SiC功率模塊項(xiàng)目投產(chǎn)，年產(chǎn)250萬只

  4月23日，丹佛斯動力系統(tǒng)官方宣布，他們的南京功率模塊園區(qū)正式啟用,總投資超8億元，可年產(chǎn)IGBT/SiC功率模塊250萬只，電機(jī)及電驅(qū)動產(chǎn)品10萬套。

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/25 08:50

  IGBT SiC功率模塊

  
• 這家IGBT企業(yè)營收達(dá)22億，增長120%

  據(jù)“揚(yáng)州日報(bào)”4月16日報(bào)道，過去幾年揚(yáng)州市簽約落戶、開工建設(shè)的一批制造業(yè)重點(diǎn)項(xiàng)目，已經(jīng)或即將成長為工業(yè)經(jīng)濟(jì)的壓艙石，其中，比亞迪半導(dǎo)體在揚(yáng)州建設(shè)的功率半導(dǎo)體模組及晶圓生產(chǎn)項(xiàng)目碩果累累。

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/17 14:31

  碳化硅 IGBT
• 走進(jìn)英飛凌無錫工廠，見證30年成長路

  1995年，英飛凌（原西門子半導(dǎo)體事業(yè)部）進(jìn)入中國，在無錫建立了第一家工廠，開啟在華發(fā)展的篇章。 1999年，西門子將半導(dǎo)體業(yè)務(wù)剝離成立英飛凌科技（以下簡稱“英飛凌”），彼時(shí)這家公司僅擁有5 萬名員工，主要生產(chǎn)消費(fèi)電子芯片，無錫工廠也因此同步更名為英飛凌無錫。 2001年，英飛凌無錫工廠率先引入分立器件和智能卡芯片生產(chǎn)線，奠定了領(lǐng)先制造工藝的基礎(chǔ)。 2013年，啟動智能工廠建設(shè)，開啟數(shù)字化轉(zhuǎn)型之路 2015年，英飛凌半導(dǎo)體（無錫）有限公司正式成立，加速在華智能制造步伐。 從2018年至今，英飛凌無錫工廠不斷豐富本土生產(chǎn)的產(chǎn)品組合，同時(shí)提升相關(guān)制造能力和工藝水平。

  夏珍

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  04/14 11:24

  與非觀察 英飛凌

  
• 新品 | IGBT 7 EconoDUAL? 3系列拓展帶焊接針產(chǎn)品

  英飛凌在此發(fā)布TRENCHSTOP? IGBT7 EconoDUAL? 3系列產(chǎn)品拓展，帶焊接針和帶預(yù)涂導(dǎo)熱材料版本(TIM)。

  英飛凌

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  04/10 08:36

  IGBT

  
• 2家IGBT/碳化硅企業(yè)爆單：增長170%；單季600萬顆

  新能源汽車和清潔能源市場的強(qiáng)勁需求推動下，功率半導(dǎo)體領(lǐng)域持續(xù)升溫。智新半導(dǎo)體和瀚薪科技作為行業(yè)內(nèi)的佼佼者，近期頻頻傳來訂單增長的喜訊：

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  04/09 09:35

  碳化硅 IGBT

  
• 安森美推出基于碳化硅的智能功率模塊以降低能耗和整體系統(tǒng)成本

  安森美 EliteSiC SPM 31 智能功率模塊 (IPM) 有助于實(shí)現(xiàn)能效和性能領(lǐng)先行業(yè)的更緊湊變頻電機(jī)驅(qū)動 安森美(onsemi，美國納斯達(dá)克股票代號：ON)推出其第一代基于1200V碳化硅（SiC）金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管（MOSFET）的SPM 31智能功率模塊（IPM）系列。與使用第7代場截止（FS7） IGBT技術(shù)相比，安森美EliteSiC SPM 31 IPM在超緊湊的封裝

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  03/18 15:07

  安森美 IGBT

  
• CGD 官宣突破100KW以上技術(shù)，推動GAN挺進(jìn)超100億美元的電動汽車逆變器市場

  無晶圓廠環(huán)?？萍及雽?dǎo)體公司 Cambridge GaN Devices（CGD）開發(fā)了一系列高能效氮化鎵（GaN）功率器件，使更加環(huán)保的電子產(chǎn)品非常易于設(shè)計(jì)和運(yùn)行。CGD今日推出的 Combo ICeGaN? 解決方案使 CGD 利用其 ICeGaN? 氮化鎵（GaN）技術(shù)滿足100kW 以上的電動汽車動力系統(tǒng)應(yīng)用，該市場超過100億美元。Combo ICeGaN?將智能 ICeGaN HEMT

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  03/11 08:37

  GaN IGBT

  
• 東芝推出應(yīng)用于工業(yè)設(shè)備的具備增強(qiáng)安全功能的SiC MOSFET柵極驅(qū)動光電耦合器

  東芝電子元件及存儲裝置株式會社（“東芝”）今日宣布，最新推出一款可用于驅(qū)動碳化硅（SiC）MOSFET的柵極驅(qū)動光電耦合器——“TLP5814H”。該器件具備＋6.8 A／–4.8 A的輸出電流，采用小型SO8L封裝并提供有源米勒鉗位功能。今日開始支持批量供貨。 在逆變器等串聯(lián)使用MOSFET或IGBT的電路中，當(dāng)下橋臂[2]關(guān)閉時(shí)，米勒電流[1]可能會產(chǎn)生柵極電壓，進(jìn)而導(dǎo)致上橋臂和下橋臂[3]出

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  03/06 09:07

  MOSFET IGBT

  
• 目標(biāo)20億！4家IGBT/SiC企業(yè)今年?duì)I收將大漲

  2025年開年以來，國內(nèi)功率半導(dǎo)體企業(yè)呈現(xiàn)強(qiáng)勁發(fā)展勢頭。重慶平偉實(shí)業(yè)、樂山希爾電子、威海新佳電子及安徽陶芯科半導(dǎo)體等企業(yè)通過技術(shù)創(chuàng)新、產(chǎn)能擴(kuò)張和海外市場拓展，加速沖刺一季度“開門紅”。其中：

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  02/26 09:03

  SiC IGBT

  
• 這家IGBT/SiC企業(yè)被收購！營收超6200萬元

  近日，長城汽車間接收購了一家功率半導(dǎo)體企業(yè)80%股權(quán)。2月21日，長城汽車發(fā)布公告稱，其間接全資子公司諾博汽車科技有限公司與穩(wěn)晟科技(天津)有限公司簽訂股權(quán)轉(zhuǎn)讓協(xié)議，諾博科技擬使用自有資金人民幣379.215777萬元收購穩(wěn)晟科技持有的無錫芯動半導(dǎo)體科技有限公司80%的股權(quán)。

  行家說功率半導(dǎo)體與新能源

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  02/25 10:15

  SiC IGBT

  
• IGBT7模塊如何連續(xù)工作在175℃

  近幾年主流芯片制造廠商，包括Infineon, Fuji, Mitsubishi等都相繼問世了第七代芯片，在芯片大小，芯片厚度，飽和壓降，開關(guān)損耗等權(quán)衡之間進(jìn)行了升級。其中，最高工作結(jié)溫被提及的次數(shù)略多。

  Disciple

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  01/21 11:23

  IGBT IGBT模塊
• IGBT并聯(lián)設(shè)計(jì)指南，拿下！

  大功率系統(tǒng)需要并聯(lián) IGBT來處理高達(dá)數(shù)十千瓦甚至數(shù)百千瓦的負(fù)載，并聯(lián)器件可以是分立封裝器件，也可以是組裝在模塊中的裸芯片。這樣做可以獲得更高的額定電流、改善散熱，有時(shí)也是為了系統(tǒng)冗余。部件之間的工藝變化以及布局變化，會影響并聯(lián)器件的靜態(tài)和動態(tài)電流分配。

  安森美半導(dǎo)體

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  01/21 11:00

  IGBT 并聯(lián)

  
• 英飛凌IGBT7系列芯片大解析

  上回書說到，IGBT自面世以來，歷經(jīng)數(shù)代技術(shù)更迭，標(biāo)志性的技術(shù)包括平面柵+NPT結(jié)構(gòu)的IGBT2，溝槽柵+場截止結(jié)構(gòu)的IGBT3和IGBT4，表面覆銅及銅綁定線的IGBT5等?，F(xiàn)今，英飛凌IGBT芯片的“當(dāng)家掌門”已由IGBT7接任。IGBT7采用微溝槽（micro pattern trench）技術(shù)，溝道密度更高，元胞間距也經(jīng)過精心設(shè)計(jì)，并且優(yōu)化了寄生電容參數(shù)，從而實(shí)現(xiàn)極低的導(dǎo)通壓降和優(yōu)化的開關(guān)性能。

  英飛凌

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  01/16 11:45

  英飛凌 IGBT

  
• 蔚華科與恩艾（艾默生/NI）擴(kuò)大結(jié)盟合作 共建亞太區(qū)首座功率半導(dǎo)體動態(tài)可靠度驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室

  /美通社/ -- 半導(dǎo)體封裝測試解決方案專業(yè)品牌蔚華科技（TWSE: 3055）與經(jīng)銷合作伙伴恩艾（艾默生/NI）宣布將共同建置亞太區(qū)首座功率半導(dǎo)體動態(tài)可靠度驗(yàn)證實(shí)驗(yàn)室，瞄準(zhǔn)亞太地區(qū)功率半導(dǎo)體芯片在車規(guī)驗(yàn)證的需求，為亞太地區(qū)半導(dǎo)體制造業(yè)客戶就近提供驗(yàn)證服務(wù)，加速客戶研發(fā)及生產(chǎn)制造的進(jìn)程。 [caption id="attachment_1793744" align="alignnone" widt

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  01/14 08:54

  美通社 IGBT

  
• 羅姆功率半導(dǎo)體產(chǎn)品概要

  1.前言 近年來，全球耗電量逐年增加，在工業(yè)和交通運(yùn)輸領(lǐng)域的增長尤為顯著。另外，以化石燃料為基礎(chǔ)的火力發(fā)電和經(jīng)濟(jì)活動所產(chǎn)生的CO2（二氧化碳）排放量增加已成為嚴(yán)重的社會問題。因此，為了實(shí)現(xiàn)零碳社會，努力提高能源利用效率并實(shí)現(xiàn)碳中和已成為全球共同的目標(biāo)。 在這種背景下，羅姆致力于通過電子技術(shù)解決社會問題，專注于開發(fā)在大功率應(yīng)用中可提升效率的關(guān)鍵——功率半導(dǎo)體，并提供相關(guān)的電源解決方案。本白皮書將通過

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  01/14 07:12

  電動汽車 SiC

  
• 功率半導(dǎo)體冷知識之二：IGBT短路時(shí)的損耗

  IGBT主要用于電機(jī)驅(qū)動和各類變流器，IGBT的抗短路能力是系統(tǒng)可靠運(yùn)行和安全的保障之一，短路保護(hù)可以通過串在回路中的分流電阻或退飽和檢測等多種方式實(shí)現(xiàn)。

  英飛凌

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  2024/12/07

  IGBT 功率半導(dǎo)體
• 車載充電器材料選擇比較：碳化硅與IGBT

  車載充電器 (OBC) 解決了電動汽車 (EV) 的一個(gè)重要問題。它們將來自電網(wǎng)的交流電轉(zhuǎn)換為適合電池充電的直流電，從而實(shí)現(xiàn)電動汽車充電。隨著每年上市的電動汽車設(shè)計(jì)、架構(gòu)和尺寸越來越豐富，車載充電器的實(shí)施也變得越來越復(fù)雜。

  貿(mào)澤電子

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  2024/11/08

  碳化硅 IGBT

  
• 芯聯(lián)集成總經(jīng)理趙奇：公司2026年收入預(yù)計(jì)將超100億

  芯聯(lián)集成四季度能否延續(xù)良好增長勢頭？碳化硅業(yè)務(wù)盈利趨勢如何？模擬IC有哪些客戶？功率模塊業(yè)務(wù)收入增長前景如何？ 針對投資者廣泛關(guān)心的話題，10月29日，芯聯(lián)集成舉辦2024年三季度報(bào)電話說明會。公司董事、總經(jīng)理趙奇，財(cái)務(wù)負(fù)責(zé)人、董事會秘書王韋，芯聯(lián)動力董事長袁鋒出席說明會。 趙奇在會上作業(yè)績發(fā)布報(bào)告，對2024年前三季度經(jīng)營業(yè)績進(jìn)行全面解讀，研判行業(yè)趨勢，并展望未來發(fā)展重點(diǎn)。 Q1 芯聯(lián)集成前三季

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  1717

  2024/10/30

  IGBT 模擬IC

  

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