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微軟辦公軟件國(guó)際認(rèn)證（Microsoft Office Specialist，MOS）是微軟針對(duì)Microsoft Office系列軟件所發(fā)展的一種認(rèn)證，其認(rèn)證對(duì)象是針對(duì)使用Office各類軟件的用戶，由于MOS是國(guó)際性且系由微軟官方提出的認(rèn)證，因此在全球受到許多國(guó)家的認(rèn)可。此認(rèn)證由Office 95開(kāi)始出現(xiàn)，經(jīng)由Office 97，2000，XP，2003，2007，2010，2013等版本，認(rèn)證與考試的模型已經(jīng)發(fā)展的相當(dāng)成熟。全球每年獲取MOS認(rèn)證的人數(shù)已超過(guò)二百萬(wàn)人。

微軟辦公軟件國(guó)際認(rèn)證（Microsoft Office Specialist，MOS）是微軟針對(duì)Microsoft Office系列軟件所發(fā)展的一種認(rèn)證，其認(rèn)證對(duì)象是針對(duì)使用Office各類軟件的用戶，由于MOS是國(guó)際性且系由微軟官方提出的認(rèn)證，因此在全球受到許多國(guó)家的認(rèn)可。此認(rèn)證由Office 95開(kāi)始出現(xiàn)，經(jīng)由Office 97，2000，XP，2003，2007，2010，2013等版本，認(rèn)證與考試的模型已經(jīng)發(fā)展的相當(dāng)成熟。全球每年獲取MOS認(rèn)證的人數(shù)已超過(guò)二百萬(wàn)人。收起

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    這些器件薄至0.88 mm并采用易于吸附焊錫的側(cè)邊焊盤(pán)，在節(jié)省空間的同時(shí)，提供了更高的熱性能和效率 日前，威世科技Vishay Intertechnology, Inc.（NYSE 股市代號(hào)：VSH）宣布，推出27款標(biāo)準(zhǔn)型和溝槽式MOS勢(shì)壘肖特基（TMBS?）表面貼裝整流器，采用薄形而且?guī)в幸子谖胶稿a的側(cè)邊焊盤(pán)的DFN33A封裝。這些標(biāo)準(zhǔn)型器件是業(yè)界首款采用這種封裝尺寸的器件，為商業(yè)、工業(yè)、通信
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  • 一文帶你了解徠芬、米家、美的等知名品牌電動(dòng)牙刷內(nèi)置的電機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS
    現(xiàn)如今，電動(dòng)牙刷已經(jīng)成為許多人日常生活中的必備品。而充電頭網(wǎng)也在不斷探究電動(dòng)牙刷行業(yè)的發(fā)展趨勢(shì)，始終在為消費(fèi)者和相關(guān)行業(yè)人士提供更全面、更專業(yè)的拆解報(bào)告。此前圍繞電動(dòng)牙刷展開(kāi)的系列文章，逐步從芯片和器件的對(duì)電動(dòng)牙刷的核心部件深度剖析。然而，前幾篇文章并未提及電機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS。此次，我們將繼續(xù)以10款掃振一體牙刷拆解案例為藍(lán)本，為大家揭開(kāi)電機(jī)驅(qū)動(dòng)MOS的實(shí)際應(yīng)用情況。
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  • 中汽協(xié)頒獎(jiǎng) | 芯聯(lián)動(dòng)力獲“2024中國(guó)汽車(chē)芯片創(chuàng)新成果”榮譽(yù)
    芯聯(lián)集成控股子公司芯聯(lián)動(dòng)力的SiC MOS主驅(qū)芯片，成功斬獲中國(guó)汽車(chē)工業(yè)協(xié)會(huì)（簡(jiǎn)稱“中汽協(xié)”）“2024中國(guó)汽車(chē)芯片創(chuàng)新成果”獎(jiǎng)項(xiàng)。這份榮譽(yù)是對(duì)公司技術(shù)創(chuàng)新實(shí)力的高度贊譽(yù)和有力肯定。 芯聯(lián)集成自2021年開(kāi)始啟動(dòng)碳化硅研發(fā)，2023年正式量產(chǎn)，是國(guó)內(nèi)第一個(gè)真正把碳化硅大規(guī)模應(yīng)用到新能源汽車(chē)主驅(qū)的企業(yè)。 2023年10月，芯聯(lián)集成聯(lián)合產(chǎn)業(yè)鏈重要伙伴一起成立芯聯(lián)動(dòng)力，將碳化硅業(yè)務(wù)獨(dú)立化運(yùn)營(yíng)，加速擴(kuò)大公
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  • 臺(tái)懋半導(dǎo)體TMG130N06LP引領(lǐng)地?cái)偨?jīng)濟(jì)與便攜生活的能源升級(jí)
    臺(tái)懋半導(dǎo)體TMG130N06LP科技在逆變升壓電路中有以下優(yōu)勢(shì)： SGT工藝產(chǎn)品響應(yīng)速度快； 耐涌能力高，峰值IDM可以達(dá)481A ； 內(nèi)阻低，可有效降低產(chǎn)品溫度和延長(zhǎng)電池使用的時(shí)長(zhǎng)； 產(chǎn)品結(jié)溫范圍在-55%-150%，適用環(huán)境寬廣；
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  • 艾體寶干貨丨如何使用 IOTA 解決網(wǎng)絡(luò)電話（VoIP）質(zhì)量問(wèn)題
    引導(dǎo)語(yǔ) 在當(dāng)今的數(shù)字化時(shí)代，語(yǔ)音通信（VoIP）已經(jīng)成為許多企業(yè)和個(gè)人不可或缺的一部分。然而，VoIP質(zhì)量問(wèn)題可能會(huì)對(duì)日常業(yè)務(wù)運(yùn)作和用戶體驗(yàn)產(chǎn)生重大影響。本篇文章將深入探討VoIP質(zhì)量問(wèn)題的原因，并提供一系列有效的解決方案，以幫助您確保通信的清晰和穩(wěn)定。 簡(jiǎn)介 本文探討了VoIP（語(yǔ)音通信）質(zhì)量問(wèn)題的常見(jiàn)原因，并提供了詳細(xì)的故障排除指南。文章首先解釋了VoIP質(zhì)量問(wèn)題可能涉及的網(wǎng)絡(luò)性能、設(shè)備配置、
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    2024/11/12
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  • SiC MOS新技術(shù)，溝道遷移率有望提升5倍
    眾所周知，SiC MOSFET的研發(fā)重點(diǎn)之一就是提高柵氧界面（SiO2/SiC）的溝道遷移率，以及降低界面缺陷以提升器件可靠性。近日，業(yè)界又有一項(xiàng)新技術(shù)在這方面實(shí)現(xiàn)了新的突破。
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  • 超結(jié)MOS在全橋電路上的應(yīng)用-REASUNOS瑞森半導(dǎo)體
    全橋電路MOS管選型，推薦瑞森半導(dǎo)體超結(jié)MOS系列
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  • X-FAB增強(qiáng)其180納米車(chē)規(guī)級(jí)高壓CMOS代工解決方案
    全球公認(rèn)的卓越的模擬/混合信號(hào)晶圓代工廠X-FAB Silicon Foundries（“X-FAB”）今日宣布，更新其XP018高壓CMOS半導(dǎo)體制造平臺(tái)，增加全新40V和60V高壓基礎(chǔ)器件——這些器件具有可擴(kuò)展SOA，提高運(yùn)行穩(wěn)健性。與上一代平臺(tái)相比，此次更新的第二代高壓基礎(chǔ)器件的RDSon阻值降低高達(dá)50%，為某些關(guān)鍵應(yīng)用提供更好的選擇——特別適合應(yīng)用在需要縮小器件尺寸并降低單位成本的系統(tǒng)中
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  • A股功率器件top5公司營(yíng)收增速簡(jiǎn)析｜2024年一季報(bào)
    繼上期《A股模擬芯片行業(yè)營(yíng)收增速簡(jiǎn)析｜2024年一季報(bào)》后，本期與非網(wǎng)將重點(diǎn)對(duì)A股功率器件行業(yè)近幾個(gè)季度的市場(chǎng)需求進(jìn)行分析，數(shù)據(jù)統(tǒng)計(jì)梳理共涉及16家功率器件公司，相關(guān)公司業(yè)務(wù)基本覆蓋晶閘管產(chǎn)品、MOS產(chǎn)品、IGBT產(chǎn)品和SiC產(chǎn)品等，文章還會(huì)對(duì)本土上市的頭部5家功率器件公司的業(yè)績(jī)進(jìn)行深入分析，希望可以給行業(yè)相關(guān)人士帶來(lái)有價(jià)值的參考信息。
    4779
    2024/05/20
    A股功率器件top5公司營(yíng)收增速簡(jiǎn)析｜2024年一季報(bào)
  • 支持Qi和 AirFuel的雙標(biāo)準(zhǔn)無(wú)線充電天線和有源整流系統(tǒng)
    摘要：本文提出一個(gè)兼容AirFuel 和 Qi兩大無(wú)線充電標(biāo)準(zhǔn)的無(wú)線充電 (WPT) 天線配置和有源整流電路，并用Cadence Virtuoso 仿真工具評(píng)測(cè)了天線配置的性能，電路仿真所用的線圈參數(shù)是目前市場(chǎng)上銷(xiāo)售的線圈的實(shí)際測(cè)量數(shù)據(jù)。我們將仿真結(jié)果與目前最先進(jìn)的天線技術(shù)進(jìn)行了對(duì)比和比較，驗(yàn)證了這個(gè)天線配置的優(yōu)勢(shì)。本文提出的有源整流器電路采用 90 nm BCD 工藝設(shè)計(jì)，并能夠根據(jù)工作頻率重新
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  • 碳化硅mos
    碳化硅MOS（Metal-Oxide-Silicon）是一種基于碳化硅半導(dǎo)體材料的金屬-氧化物-半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)器件，具有高溫、高頻和高功率特性，被廣泛應(yīng)用于功率電子器件、射頻通信設(shè)備等領(lǐng)域。
  • 碳化硅MOS、超結(jié)MOS與IGBT性能比較
    碳化硅MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）、超結(jié)MOS（Schottky Barrier Metal-Oxide-Semiconductor）和IGBT（Insulated Gate Bipolar Transistor）是現(xiàn)代電力電子領(lǐng)域中重要的功率半導(dǎo)體器件。它們?cè)诓煌瑧?yīng)用場(chǎng)景下發(fā)揮著關(guān)鍵作用，各自具有獨(dú)特的性能特點(diǎn)和優(yōu)劣勢(shì)。本文將對(duì)這三種器件進(jìn)行詳細(xì)比較。
  • cmos和nmos以及pmos的區(qū)別
    CMOS（Complementary Metal-Oxide-Semiconductor）、NMOS（N-type Metal-Oxide-Semiconductor）和PMOS（P-type Metal-Oxide-Semiconductor）是三種常見(jiàn)的MOS（Metal-Oxide-Semiconductor）器件類型。
    1.3萬(wàn)
    2024/11/28

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