功率器件

• 2025年1-2月電氣化供應商裝機量排行榜：動力電池TOP10格局保持穩(wěn)定，集中度超93%

  2 月，全球新能源汽車市場延續(xù)了高速增長的態(tài)勢，動力電池作為核心零部件的需求持續(xù)攀升。在這一背景下，動力電池供應鏈的競爭格局進一步凸顯 “頭部份額高度集中” 的特征，寧德時代與弗迪電池憑借技術優(yōu)勢和規(guī)模效應穩(wěn)居榜首，兩者合計占據近 70% 的市場份額。與此同時，電池 PACK、BMS、驅動電機等細分領域也呈現出頭部企業(yè)主導、車企加速自研的趨勢，整個產業(yè)鏈在技術創(chuàng)新與市場擴張中迎來新的變革。

  蓋世汽車

  810

  04/14 12:20

  動力電池 功率器件

  
• 是德科技推出用于快速開關功率器件測試的隔離探測技術

  是德科技（NYSE: KEYS ）開發(fā)了一種光隔離差分探頭系列，專門用于提高寬禁帶 GaN 和 SiC 半導體等快速開關器件的效率和性能測試。 是德科技光隔離探頭，共模抑制能力比標準差分探頭高 100 dB 用于功率轉換、電機驅動和逆變器的浮動半橋和全橋架構驗證需要測量高共模電壓上的小差分信號，由于相對于地的電壓源波動、噪聲干擾和安全問題，這種測量具有一定的挑戰(zhàn)性。隔離差分探頭是電氣隔離的，能夠抑

  與非網編輯

  506

  03/26 08:23

  是德科技 逆變器

  
• CGD發(fā)佈突破性100kW+技術，推動氮化鎵（GaN）進軍超100億美元電動汽車逆變器市場

  無晶圓廠環(huán)?？萍及雽w公司Cambridge GaN Devices (CGD)專注於開發(fā)高能效氮化鎵（GaN）功率器件，致力於簡化綠色電子產品的設計和實施。近日，CGD進一步公佈了關於ICeGaN? GaN 技術解決方案的詳情，該方案將助力公司進軍功率超過100kW的電動汽車動力總成應用市場，這一市場規(guī)模預計超過100億美元。Combo ICeGaN?通過將智慧ICeGaN HEMT IC與IG

  與非網編輯

  781

  03/12 08:17

  SiC GaN

  
• 《元器件交易動態(tài)周報》-功率器件需求因汽車智能化、AI數據中心等市場增長而提升

  核心觀點： 功率器件需求因汽車智能化、AI數據中心等市場增長而提升。 二極管四方維商品動態(tài)商情交貨周期指數維持在自2024年初以來的上升趨勢中；而晶體管交貨周期指數處于低位徘徊。 2025年1月，功率器件價格整體保持穩(wěn)定。 三大維度解讀功率器件最新供需動態(tài) 市場需求分析 圖 | 二極管四方維商品動態(tài)商情需求指數情況，來源：Supplyframe四方維 圖 | 晶體管四方維商品動態(tài)商情需求指數情況，

  史德志

  2634

  02/24 11:35

  碳化硅 MOSFET

  
• 升級電源和機架架構，滿足AI服務器的需求

  英飛凌的CoolSiCTM和CoolGaNTM產品非常適用于應對數據中心機架和電源供應單元（PSU）電力需求增長所需的新架構和AC-DC配電配置。 前言 人工智能（AI）的迅猛發(fā)展推動了數據中心處理能力的顯著增長。如圖1所示，英飛凌預測單臺GPU的功耗將呈指數級上升，預計到2030年將達到約2000 W [1]，而AI服務器機架的峰值功耗將突破驚人的300 kW。這一趨勢促使數據中心機架的AC和D

  與非網編輯

  891

  02/24 08:11

  英飛凌 功率器件
• Aigtek高壓功率放大器在鐵路鐵軌檢測中有哪些應用

  高壓功率放大器在鐵路鐵軌檢測中有多種重要應用，它們在確保鐵路安全和維護鐵路設施中起著關鍵作用。下面西安安泰將詳細介紹高壓功率放大器在鐵路鐵軌檢測中的幾個主要應用。 高壓功率放大器用于鐵路鐵軌的振動檢測。振動檢測是一種常見的方法，用于監(jiān)測鐵軌的健康狀態(tài)以及潛在的結構問題。通過在鐵軌上安裝傳感器，并使用高壓功率放大器放大傳感器捕捉到的微弱信號，可以實時檢測鐵軌的振動情況。這種檢測可以幫助確定是否存在異

  Aigtek安泰電子

  578

  02/24 08:00

  功率放大器 功率器件
• 功率器件熱設計基礎（十三）——使用熱系數Ψth(j-top)獲取結溫信息

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。

  英飛凌

  1919

  01/21 11:05

  功率半導體 功率器件

  
• 泰克與遠山半導體合作再結碩果，共推1700V GaN器件邁向新高度

  近日，泰克科技與遠山半導體的合作迎來又一重要里程碑，雙方攜手對遠山半導體最新推出的1700V GaN器件進行了深入測試與評估，成果斐然，為該器件在高端應用市場的拓展注入強勁動力。 此前，遠山半導體憑借其在高壓GaN器件領域的持續(xù)創(chuàng)新，已成功推出多款產品，并逐步將額定電壓提升至1700V，這一電壓等級的突破，相較于1200V器件實現了顯著性能飛躍。為攻克GaN器件常見的電流崩塌難題，遠山半導體采用了

  與非網編輯

  865

  01/15 08:17

  GaN 功率器件

  
• 功率器件熱設計基礎（十一）——功率半導體器件的功率端子

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。

  英飛凌

  2204

  01/07 11:05

  功率半導體 功率器件

  
• 功率器件熱設計基礎（十）——功率半導體器件的結構函數

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。

  英飛凌

  2980

  2024/12/24

  功率半導體 功率器件

  
• 功率器件熱設計基礎（九）——功率半導體模塊的熱擴散

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。

  英飛凌

  1818

  2024/12/17

  功率半導體 功率器件

  
• PCB過孔的開窗，蓋油，塞油到底是什么意思？廠家EQ該怎么回復？

  關注微信公眾號：硬件那點事兒

  硬件那點事兒

  4874

  2024/12/13

  pcb 功率器件

  
• 功率器件熱設計基礎（八）——利用瞬態(tài)熱阻計算二極管浪涌電流

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。

  英飛凌

  3877

  2024/12/11

  功率半導體 功率器件

  
• 功率半導體冷知識：功率器件的功率密度

  功率半導體注定要承受大的損耗功率、高溫和溫度變化。提高器件和系統的功率密度是功率半導體重要的設計目標。我們一路追求單位芯片面積的輸出電流能力，實現方法是：

  英飛凌

  899

  2024/12/07

  功率半導體 功率器件
• 功率器件熱設計基礎（七）——熱等效模型

  功率半導體熱設計是實現IGBT、SiC MOSFET高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。

  英飛凌

  3545

  2024/12/03

  功率半導體 功率器件

  
• 功率器件熱設計基礎（六）——瞬態(tài)熱測量

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。

  英飛凌

  2290

  2024/11/26

  功率半導體 功率器件

  
• 功率器件熱設計基礎（五）——功率半導體熱容

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。

  英飛凌

  2375

  2024/11/19

  功率半導體 功率器件

  
• 【“源”察秋毫系列】 多次循環(huán)雙脈沖測試應用助力功率器件研究及性能評估

  隨著電力電子技術的飛速發(fā)展，功率器件在電動汽車、可再生能源、智能電網等領域的應用日益廣泛。這些應用對功率器件的性能和可靠性提出了更高的要求。特別是在電動汽車領域，功率器件需要在高電壓、高電流和高溫環(huán)境下穩(wěn)定工作，這對器件的耐久性和可靠性是一個巨大的挑戰(zhàn)。同時，隨著SiC等寬禁帶半導體材料的興起，功率器件的性能得到了顯著提升，但同時也帶來了新的測試需求。如何在保證測試效率的同時，準確評估這些先進功率

  與非網編輯

  1421

  2024/11/15

  示波器 功率器件

  
• 聚焦能源和半導體，東芝將加大在華投入

  東芝集團去年宣布私有化，業(yè)界對這種變化的聲音較多。 對此，仲秋表示：“退市后使得我們更容易專注于面向未來的改革，解決東芝的結構性課題，回歸到“東芝本來應有的樣子”，東芝長期看好中國經濟的發(fā)展前景。我們希望繼續(xù)深化與本地合作伙伴的關系，推動創(chuàng)新和技術進步”。

  夏珍

  2270

  2024/11/14

  與非觀察 功率器件

  
• 功率器件熱設計基礎（四）——功率半導體芯片溫度和測試方法

  功率半導體熱設計是實現IGBT、碳化硅SiC高功率密度的基礎，只有掌握功率半導體的熱設計基礎知識，才能完成精確熱設計，提高功率器件的利用率，降低系統成本，并保證系統的可靠性。

  英飛凌

  4275

  2024/11/12

  功率半導體 功率器件

  

正在努力加載...