PSoC(Programmable System on Chip)芯片是一種高度集成的可編程系統(tǒng)級芯片,由美國賽普拉斯半導體公司(Cypress Semiconductor Corporation)開發(fā)。它結合了微控制器(MCU)、數字邏輯、模擬信號處理和存儲器等多種功能,能夠在單個芯片上實現復雜的系統(tǒng)功能。以下是PSoC芯片的主要特點:
在半導體 SiGe 工藝中,分兩步生長低摻雜 Ge 層和高摻雜 Ge 層主要基于以下多方面的工藝優(yōu)化需求:晶格常數差異:Ge的晶格常數(5.66 ?)比Si(5.43 ?)大約4%,直接在 Si 襯底上生長高摻雜 Ge 層會因晶格失配產生高應力,導致位錯等缺陷。第一步低摻雜 Ge 層作為緩沖層,通過較低的摻雜濃度和漸變的 Ge 含量(如從 Si 到 SiGe 的過渡),逐步釋放晶格應力,為后續(xù)高摻雜層提供穩(wěn)定的生長基礎。
芯聯集成榮膺TMC2025“2025年度創(chuàng)新技術大獎”。 6月12日,在第十七屆國際汽車動力系統(tǒng)技術年會上,芯聯集成憑借其1500V SiC MOS 灌膠模組系列產品,斬獲組委會頒發(fā)的“2025年度創(chuàng)新技術”大獎。 該獎項是對芯聯集成在車規(guī)級功率半導體領域卓越產品力與領先技術力的高度認可。 作為中國規(guī)模最大、最具影響力的汽車動力系統(tǒng)技術盛會,本屆年會由中國汽車工程學會主辦,匯聚了180余家國內外頂