2nm工藝

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  • 先進制程巨頭“聯(lián)姻”，一場怎樣的陽謀？
    全球半導體先進制程正陷入一種前所未有的“膠著態(tài)”。在2nm工藝的全球競賽進入倒計時之際，英特爾代工仍在虧損，急于找到有效的“輸血”途徑；臺積電則在關稅等陰云籠罩下,為求得一條平衡全球業(yè)務布局的道路而不停奔波。
    先進制程巨頭“聯(lián)姻”，一場怎樣的陽謀？
  • 2nm戰(zhàn)場，好戲來了
    本周，2nm在各大網站強勢刷屏。臺積電此前表示，2nm芯片將于4月1日起接受訂單預訂。隨著時間逐漸來到4月，它終于猶抱琵琶半遮面，緩緩露出真容。臺積電、Intel、Rapidus等芯片巨頭均在本周再度更新了2nm芯片的量產進展。
    2nm戰(zhàn)場，好戲來了
  • 2nm工藝大考倒計時
    臺積電近期表示，2nm工藝技術進展良好，將如期在今年下半年量產，產能在今年年底前有望達到5萬片，甚至有機會邁上8萬片臺階。
    2nm工藝大考倒計時
  • 2025年2納米晶圓廠全力加速建設
    ChatGPT之后，DeepSeek橫空出世，助力AI大模型持續(xù)升溫。AI驅動之下，先進制程芯片需求持續(xù)高漲。當前3納米芯片已經實現(xiàn)量產，為滿足未來市場對更先進制程芯片的需求，多家廠商積極布局2納米晶圓廠，且目標2025年量產/試產。隨著目標時間臨近，2納米晶圓廠建設進入全力加速階段。
    2025年2納米晶圓廠全力加速建設
  • 2nm，要來了
    在半導體制造中，2nm工藝是繼3nm工藝節(jié)點之后的下一個MOSFET（金屬氧化物半導體場效應晶體管）芯片微縮技術?！?nm”或“20?！保ㄓ⑻貭柺褂玫男g語）與晶體管的任何實際物理特征（例如柵極長度、金屬間距或柵極間距）無關。根據電氣和電子工程師協(xié)會(IEEE)發(fā)布的2021 年更新的《國際設備和系統(tǒng)路線圖》中的預測，“2.1 nm節(jié)點范圍標簽”預計接觸柵極間距為 45 nm，最緊密金屬間距為 20 nm。
    2nm，要來了
  • 良率超預期 臺積電2nm工藝產量年內提至5萬片
    數(shù)年前，位于中國臺灣新竹科學園區(qū)的臺積電寶山工廠的建設正式啟動，旨在滿足市場對先進半導體技術的迫切需求。該工廠主要承擔2nm及更先進制程工藝的生產任務，計劃分階段建設多個晶圓廠（如P1至P4），以逐步擴大2nm工藝的產能。
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    01/05 09:25
    良率超預期 臺積電2nm工藝產量年內提至5萬片
  • 進程提前半年，臺積電2nm上線倒計時
    11月26日，臺積電在高雄的2nm新廠舉行設備進機典禮。原本高雄工廠的計劃是在2025年中期引進設備，年底進行生產。受益于需求高漲，臺積電高雄工廠的時間線整整提前了半年，這也把全球2nm制造的時間表向前推進了一步。
    進程提前半年，臺積電2nm上線倒計時
  • 一座12英寸晶圓廠啟動，一座2nm晶圓廠將完工
    晶圓代工大廠近期動態(tài)頻頻，牽動晶圓代工版圖變動。世界先進公開表示，正式進軍12英寸晶圓代工，并再度開啟下個30年的技術策略轉型之路，碳化硅領域也收入發(fā)展版圖；印度首座12英寸晶圓廠已啟動，目前印度政府已經批準了五座價值約180億美元的半導體工廠建設案；此外由臺積電建設的全球首座2nm晶圓廠，本月末將完工。行業(yè)多方表示，AI相關需求未來還將迸發(fā)更大潛力，臺積電的盈利還將進一步水漲船高。
    一座12英寸晶圓廠啟動，一座2nm晶圓廠將完工
  • 摩爾定律再進化，2納米之后芯片如何繼續(xù)突破物理極限
    提到集成電路行業(yè)，那么永遠繞不過一個名詞，就是摩爾定律。但摩爾定律只是經驗之談，本質是預測，并非什么物理層面的約束。當時間來到2024年，等效3nm已經商用，而2nm甚至1nm都已被提上日程，未來十年，摩爾定律又將走向何處呢？一些新技術或許會給我們帶來答案。
    摩爾定律再進化，2納米之后芯片如何繼續(xù)突破物理極限
  • 三星公布最新先進工藝技術路線圖 2nm工藝競爭升級
    近日，三星在美國加州圣何塞舉行的三星晶圓代工論壇(SFF)上表示，在過去一年中，三星代工的AI需求相關銷售額增長了80%，預計到2028年，其AI芯片代工客戶數(shù)量將比2023年增加4倍，代工銷售額將比2023年增加9倍。三星還公布了其最新的工藝技術路線圖，包括兩個新的工藝節(jié)點—SF2Z和SF4U，并且將為其代工客戶提供全面的“一站式”人工智能解決方案。
    三星公布最新先進工藝技術路線圖 2nm工藝競爭升級

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