2nm工藝

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  • 先進(jìn)制程巨頭“聯(lián)姻”，一場(chǎng)怎樣的陽(yáng)謀？
    全球半導(dǎo)體先進(jìn)制程正陷入一種前所未有的“膠著態(tài)”。在2nm工藝的全球競(jìng)賽進(jìn)入倒計(jì)時(shí)之際，英特爾代工仍在虧損，急于找到有效的“輸血”途徑；臺(tái)積電則在關(guān)稅等陰云籠罩下,為求得一條平衡全球業(yè)務(wù)布局的道路而不停奔波。
    先進(jìn)制程巨頭“聯(lián)姻”，一場(chǎng)怎樣的陽(yáng)謀？
  • 2nm戰(zhàn)場(chǎng)，好戲來(lái)了
    本周，2nm在各大網(wǎng)站強(qiáng)勢(shì)刷屏。臺(tái)積電此前表示，2nm芯片將于4月1日起接受訂單預(yù)訂。隨著時(shí)間逐漸來(lái)到4月，它終于猶抱琵琶半遮面，緩緩露出真容。臺(tái)積電、Intel、Rapidus等芯片巨頭均在本周再度更新了2nm芯片的量產(chǎn)進(jìn)展。
    2nm戰(zhàn)場(chǎng)，好戲來(lái)了
  • 2nm工藝大考倒計(jì)時(shí)
    臺(tái)積電近期表示，2nm工藝技術(shù)進(jìn)展良好，將如期在今年下半年量產(chǎn)，產(chǎn)能在今年年底前有望達(dá)到5萬(wàn)片，甚至有機(jī)會(huì)邁上8萬(wàn)片臺(tái)階。
    2nm工藝大考倒計(jì)時(shí)
  • 2025年2納米晶圓廠全力加速建設(shè)
    ChatGPT之后，DeepSeek橫空出世，助力AI大模型持續(xù)升溫。AI驅(qū)動(dòng)之下，先進(jìn)制程芯片需求持續(xù)高漲。當(dāng)前3納米芯片已經(jīng)實(shí)現(xiàn)量產(chǎn)，為滿(mǎn)足未來(lái)市場(chǎng)對(duì)更先進(jìn)制程芯片的需求，多家廠商積極布局2納米晶圓廠，且目標(biāo)2025年量產(chǎn)/試產(chǎn)。隨著目標(biāo)時(shí)間臨近，2納米晶圓廠建設(shè)進(jìn)入全力加速階段。
    2025年2納米晶圓廠全力加速建設(shè)
  • 2nm，要來(lái)了
    在半導(dǎo)體制造中，2nm工藝是繼3nm工藝節(jié)點(diǎn)之后的下一個(gè)MOSFET（金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)晶體管）芯片微縮技術(shù)?！?nm”或“20?！保ㄓ⑻貭柺褂玫男g(shù)語(yǔ)）與晶體管的任何實(shí)際物理特征（例如柵極長(zhǎng)度、金屬間距或柵極間距）無(wú)關(guān)。根據(jù)電氣和電子工程師協(xié)會(huì)(IEEE)發(fā)布的2021 年更新的《國(guó)際設(shè)備和系統(tǒng)路線(xiàn)圖》中的預(yù)測(cè)，“2.1 nm節(jié)點(diǎn)范圍標(biāo)簽”預(yù)計(jì)接觸柵極間距為 45 nm，最緊密金屬間距為 20 nm。
    2nm，要來(lái)了
  • 良率超預(yù)期 臺(tái)積電2nm工藝產(chǎn)量年內(nèi)提至5萬(wàn)片
    數(shù)年前，位于中國(guó)臺(tái)灣新竹科學(xué)園區(qū)的臺(tái)積電寶山工廠的建設(shè)正式啟動(dòng)，旨在滿(mǎn)足市場(chǎng)對(duì)先進(jìn)半導(dǎo)體技術(shù)的迫切需求。該工廠主要承擔(dān)2nm及更先進(jìn)制程工藝的生產(chǎn)任務(wù)，計(jì)劃分階段建設(shè)多個(gè)晶圓廠（如P1至P4），以逐步擴(kuò)大2nm工藝的產(chǎn)能。
    良率超預(yù)期 臺(tái)積電2nm工藝產(chǎn)量年內(nèi)提至5萬(wàn)片
  • 進(jìn)程提前半年，臺(tái)積電2nm上線(xiàn)倒計(jì)時(shí)
    11月26日，臺(tái)積電在高雄的2nm新廠舉行設(shè)備進(jìn)機(jī)典禮。原本高雄工廠的計(jì)劃是在2025年中期引進(jìn)設(shè)備，年底進(jìn)行生產(chǎn)。受益于需求高漲，臺(tái)積電高雄工廠的時(shí)間線(xiàn)整整提前了半年，這也把全球2nm制造的時(shí)間表向前推進(jìn)了一步。
    進(jìn)程提前半年，臺(tái)積電2nm上線(xiàn)倒計(jì)時(shí)
  • 一座12英寸晶圓廠啟動(dòng)，一座2nm晶圓廠將完工
    晶圓代工大廠近期動(dòng)態(tài)頻頻，牽動(dòng)晶圓代工版圖變動(dòng)。世界先進(jìn)公開(kāi)表示，正式進(jìn)軍12英寸晶圓代工，并再度開(kāi)啟下個(gè)30年的技術(shù)策略轉(zhuǎn)型之路，碳化硅領(lǐng)域也收入發(fā)展版圖；印度首座12英寸晶圓廠已啟動(dòng)，目前印度政府已經(jīng)批準(zhǔn)了五座價(jià)值約180億美元的半導(dǎo)體工廠建設(shè)案；此外由臺(tái)積電建設(shè)的全球首座2nm晶圓廠，本月末將完工。行業(yè)多方表示，AI相關(guān)需求未來(lái)還將迸發(fā)更大潛力，臺(tái)積電的盈利還將進(jìn)一步水漲船高。
    一座12英寸晶圓廠啟動(dòng)，一座2nm晶圓廠將完工
  • 摩爾定律再進(jìn)化，2納米之后芯片如何繼續(xù)突破物理極限
    提到集成電路行業(yè)，那么永遠(yuǎn)繞不過(guò)一個(gè)名詞，就是摩爾定律。但摩爾定律只是經(jīng)驗(yàn)之談，本質(zhì)是預(yù)測(cè)，并非什么物理層面的約束。當(dāng)時(shí)間來(lái)到2024年，等效3nm已經(jīng)商用，而2nm甚至1nm都已被提上日程，未來(lái)十年，摩爾定律又將走向何處呢？一些新技術(shù)或許會(huì)給我們帶來(lái)答案。
    摩爾定律再進(jìn)化，2納米之后芯片如何繼續(xù)突破物理極限
  • 三星公布最新先進(jìn)工藝技術(shù)路線(xiàn)圖 2nm工藝競(jìng)爭(zhēng)升級(jí)
    近日，三星在美國(guó)加州圣何塞舉行的三星晶圓代工論壇(SFF)上表示，在過(guò)去一年中，三星代工的AI需求相關(guān)銷(xiāo)售額增長(zhǎng)了80%，預(yù)計(jì)到2028年，其AI芯片代工客戶(hù)數(shù)量將比2023年增加4倍，代工銷(xiāo)售額將比2023年增加9倍。三星還公布了其最新的工藝技術(shù)路線(xiàn)圖，包括兩個(gè)新的工藝節(jié)點(diǎn)—SF2Z和SF4U，并且將為其代工客戶(hù)提供全面的“一站式”人工智能解決方案。
    三星公布最新先進(jìn)工藝技術(shù)路線(xiàn)圖 2nm工藝競(jìng)爭(zhēng)升級(jí)
  • 深度丨2納米變成新戰(zhàn)場(chǎng)
    今年一月，荷蘭ASML公司成功研制出首臺(tái)High-NA EUV光刻機(jī)，并在公眾面前進(jìn)行了首次開(kāi)箱展示。其創(chuàng)新技術(shù)能夠?qū)⑹澜缟献罴舛说男酒瞥逃?納米進(jìn)一步縮減至2納米，為全球半導(dǎo)體行業(yè)帶來(lái)了劃時(shí)代的突破。此次成果的亮相，標(biāo)志著半導(dǎo)體廠商正式開(kāi)啟了2納米芯片量產(chǎn)的新紀(jì)元。
    深度丨2納米變成新戰(zhàn)場(chǎng)
  • 深度丨臺(tái)積電戰(zhàn)略大調(diào)整，棄28nm，大擴(kuò)產(chǎn)
    根據(jù)公開(kāi)數(shù)據(jù)顯示，臺(tái)積電在2023年面臨了挑戰(zhàn)，其產(chǎn)能利用率下降至約80%，同時(shí)營(yíng)收也有所減少。然而，隨著2024年的到來(lái)，臺(tái)積電迎來(lái)了轉(zhuǎn)機(jī)。由于AI芯片需求的迅猛增長(zhǎng)，臺(tái)積電已成功獲得了大量訂單，并實(shí)現(xiàn)了產(chǎn)能的全面利用。
    深度丨臺(tái)積電戰(zhàn)略大調(diào)整，棄28nm，大擴(kuò)產(chǎn)
  • 2納米先進(jìn)制程已近在咫尺！
    近日，IC設(shè)計(jì)大廠美滿(mǎn)電子（Marvell）宣布與臺(tái)積電的長(zhǎng)期合作關(guān)系將擴(kuò)大至2納米，并開(kāi)發(fā)業(yè)界首見(jiàn)針對(duì)加速基礎(chǔ)設(shè)施優(yōu)化的2納米半導(dǎo)體生產(chǎn)平臺(tái)。目前，行業(yè)內(nèi)最先進(jìn)的先進(jìn)制程量產(chǎn)技術(shù)是3納米工藝，由三星電子和臺(tái)積電制造。隨著英特爾拿下ASML的首臺(tái)光刻機(jī)并更新最新代工版圖，以及Rapidus與IBM合作日益密切，目前2納米先進(jìn)制程的競(jìng)爭(zhēng)者以明顯擴(kuò)大為臺(tái)積電、英特爾、三星、Rapidus、Marvell五家。
    2納米先進(jìn)制程已近在咫尺！
  • 深度丨2nm的競(jìng)爭(zhēng)：臺(tái)積電守，英特爾攻
    當(dāng)前，芯片制造技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)白熱化。臺(tái)積電與英特爾這兩大巨頭在2nm至1nm制程領(lǐng)域爭(zhēng)相推出更先進(jìn)的制程工藝，力求占據(jù)市場(chǎng)先機(jī)。
    深度丨2nm的競(jìng)爭(zhēng)：臺(tái)積電守，英特爾攻
  • 2nm戰(zhàn)役，臺(tái)積電開(kāi)始防守
    如今，芯片制造技術(shù)的競(jìng)爭(zhēng)愈發(fā)激烈。臺(tái)積電與英特爾這兩大巨頭在2nm到1nm制程領(lǐng)域競(jìng)相推出更先進(jìn)的制程工藝，力圖搶占市場(chǎng)先機(jī)。
    2nm戰(zhàn)役，臺(tái)積電開(kāi)始防守
  • 佳能光刻機(jī)突破2nm制程？
    佳能半導(dǎo)體機(jī)器業(yè)務(wù)部長(zhǎng)巖本和德表示，佳能采用納米壓印技術(shù)的光刻機(jī)有望生產(chǎn)2nm芯片，且成本可以降至傳統(tǒng)光刻設(shè)備的一半。在巖本和德發(fā)聲的4天以前，荷蘭半導(dǎo)體設(shè)備制造商ASML宣布，已向英特爾交付了全球首臺(tái)High NA（高數(shù)值孔徑）EUV（極紫外）光刻系統(tǒng)，支持2nm制程及以下工藝的芯片制造。
    佳能光刻機(jī)突破2nm制程？
  • 2nm情結(jié)
    一輛載著印有“ASML”LOGO保護(hù)箱的卡車(chē)駛?cè)朊绹?guó)俄勒岡州（Oregon）的英特爾希爾斯伯勒（Hillsboro）園區(qū)。箱身上綁著紅繩，并系了蝴蝶結(jié)，里面是荷蘭ASML研制出的全球首臺(tái)高數(shù)值孔徑極紫外光刻機(jī)（High NA EUV）的一部分。
    2nm情結(jié)
  • 2nm的“失敗者聯(lián)盟”
    日本有個(gè)Rapidus的新公司，聲稱(chēng)要在2027年前在日本量產(chǎn)2nm芯片。乍一聽(tīng)有些像是玩笑話(huà)，但隨后大家就發(fā)現(xiàn)，這家名不見(jiàn)經(jīng)傳的日本公司，可能是認(rèn)真的。Rapidus到底是什么來(lái)頭？它又有什么底氣能硬撼臺(tái)積電三星呢？
    2nm的“失敗者聯(lián)盟”
  • 為了阻擊臺(tái)積電和日本半導(dǎo)體，韓國(guó)也是拼了
    12月中旬，韓國(guó)總統(tǒng)尹錫悅與荷蘭首相馬克·呂特發(fā)表聯(lián)合聲明，雙方構(gòu)建“半導(dǎo)體同盟”。雙方一致認(rèn)為，兩國(guó)在全球半導(dǎo)體供應(yīng)鏈中有著特殊的互補(bǔ)關(guān)系，并重申構(gòu)建覆蓋政府、企業(yè)、高校的半導(dǎo)體同盟的決心。為此，雙方商定新設(shè)經(jīng)貿(mào)部門(mén)之間的半導(dǎo)體對(duì)話(huà)協(xié)商機(jī)制，同時(shí)推進(jìn)半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)人才培養(yǎng)項(xiàng)目。
    為了阻擊臺(tái)積電和日本半導(dǎo)體，韓國(guó)也是拼了
  • 休眠30年，直追2nm，日本哪來(lái)的底氣？
    提到日本半導(dǎo)體，想到的總是那么些關(guān)鍵詞：失落的三十年、廣場(chǎng)協(xié)定、上游材料的王者......在過(guò)去30年幾乎沉寂的日本半導(dǎo)體，在最近兩年異?；钴S。最矚目的就是8家日本領(lǐng)先企業(yè)聯(lián)合成立的半導(dǎo)體制造商Rapidus，直接劍指2nm，意圖與臺(tái)積電和三星對(duì)抗。日本正將一切押注于半導(dǎo)體復(fù)興。
    休眠30年，直追2nm，日本哪來(lái)的底氣？

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